在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1973-F5+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 1 | 中国内地：5-6周 |
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| DLSDS1973F5PLUS | MAXIM/美信 | 0 | 100 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
| Program Memory Type | EEPROM |
| InterfaceType / Connectivity | 1-Wire |
| Supply Voltage | 2.8V to 6V |
| Memory Density | 4kb |
| 存储容量 | 512B |
| 存储器类型 | EEPROM |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | DS1973 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 应用 | 用户/产品验证 |
| 系列 | iButton® |
| 在线目录 | iButton® Series |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 4.096kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 512X8 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 16.3kHz |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 512 |
| 字数 | 512words |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 串行总线类型 | 1-WIRE |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.8V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | O-MEDB-N2 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | DISKBUTTON |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子位置 | END |
| 包装说明 | , |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8473.30.11.40 |
| 针数 | 2 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DPX165850DT-8117A1 | TDK(东电化) | 68000 | 0.477108 |
| HCTF21601 | AMPHENOL | 8355 | 1.369625 |
| HCTF12001 | AMPHENOL | 7451 | 1.470000 |
| M24LR16E-RDW6T/2 | STM | 4000 | 5.833971 |
| AC-CP000382 | AMPHENOL | 287 | 0.232044 |
| ADE-12MH+ | MINI-CIRCUITS | 39 | 91.910280 |
| ADE-12+ | MINI-CIRCUITS | 17 | 40.748400 |
| TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
| TCM1-83X+ | MINI-CIRCUITS | 3 | 57.036000 |
| KAT-3+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 66.912048 |
