在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1982-F5+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 1 | 中国内地：3-5周 |
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| DS1982-F5+_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 1 | 中国内地：3-5周 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
| Program Memory Type | EPROM |
| InterfaceType / Connectivity | 1-Wire |
| Storage Temperature Range | -55°C to +125°C |
| Supply Voltage | 2.8V to 6V |
| Memory Density | 1kb |
| 存储容量 | 128B |
| 存储器类型 | EPROM |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | DS1982 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 应用 | 用户/产品验证 |
| 系列 | iButton® |
| 在线目录 | iButton® Series |
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Memory Density | 1.024kbit |
| Memory Width | 1 |
| Organization | 1KX1 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Power Supplies | 3/5V |
| Access Time-Max | 15µs |
| Memory IC Type | OTPROM |
| Additional Feature | MICROLANCOMPATIBLE |
| I/O Type | COMMON |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 1000 |
| Number of Words | 1.024k |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.8V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | O-MEDB-N2 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 2 |
| Package Body Material | METAL |
| Package Equivalence Code | BUTTON,.68IN |
| Package Shape | ROUND |
| Package Style | DISKBUTTON |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Position | END |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Package Description | ,BUTTON,.68IN |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8473.30.11.40 |
| Pin Count | 2 |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 1.024kbit |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 1KX1 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 电源 | 3/5V |
| 最长访问时间 | 15µs |
| 内存集成电路类型 | OTPROM |
| 其他特性 | MICROLANCOMPATIBLE |
| I/O 类型 | COMMON |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 1000 |
| 字数 | 1.024k |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.8V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | O-MEDB-N2 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装等效代码 | BUTTON,.68IN |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | DISKBUTTON |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子位置 | END |
| 包装说明 | ,BUTTON,.68IN |
| 针数 | 2 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8473.30.11.40 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DPX165850DT-8117A1 | TDK(东电化) | 68000 | 0.477108 |
| HCTF21601 | AMPHENOL | 8355 | 1.369625 |
| HCTF12001 | AMPHENOL | 7451 | 1.470000 |
| M24LR16E-RDW6T/2 | STM | 4000 | 5.833971 |
| AC-CP000382 | AMPHENOL | 287 | 0.232044 |
| ADE-12MH+ | MINI-CIRCUITS | 39 | 91.910280 |
| ADE-12+ | MINI-CIRCUITS | 17 | 40.748400 |
| TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
| TCM1-83X+ | MINI-CIRCUITS | 3 | 57.036000 |
| KAT-3+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 66.912048 |
