在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS2120B | MAXIM/美信 | DS2120 Ultra3 Lvd SCSI Terminator | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| DS2120B/T&R | MAXIM/美信 | DS2120 Ultra3 Lvd SCSI Terminator | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 端子数 | 9 |
| 供应商器件封装 | 36-SSOP |
| 封装/外壳 | 36-BSOP（0.295"，7.50mm 宽） |
| 类型 | SCSI，LVD，SE |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | DS2120 |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 电压 - 电源 | 2.7V ~ 5.5V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Number of Signal Lines | 9 |
| Interface IC Type | SCSIBUSTERMINATOR |
| Differential Output | YES |
| Number of Functions | 1 |
| Power Supplies | 3/5V |
| Pull-up Resistance-Nom | 105Ω |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Supply Voltage-Min | 2.7V |
| Surface Mount | YES |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G36 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Number of Terminals | 36 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SSOP |
| Package Equivalence Code | SOP36,.4,32 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE,SHRINKPITCH |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 800µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 15.375mm |
| Seated Height-Max | 2.64mm |
| Width | 7.5mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Package Description | SSOP-36 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Part Package Code | SSOP |
| Pin Count | 36 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 信号线数量 | 9 |
| 接口集成电路类型 | SCSIBUSTERMINATOR |
| 差分输出 | YES |
| 功能数量 | 1 |
| 电源 | 3/5V |
| 标称上拉电阻 | 105Ω |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 2.7V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G36 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 端子数量 | 36 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SSOP |
| 封装等效代码 | SOP36,.4,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE,SHRINKPITCH |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 800µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 15.375mm |
| 座面最大高度 | 2.64mm |
| 宽度 | 7.5mm |
| 包装说明 | SSOP-36 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | SSOP |
| 针数 | 36 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
