在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS21352LN | MAXIM/美信 | DS21352 3.3V T1 Single-Chip Transceivers | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 功能 | 单芯片收发器 |
| 供应商器件封装 | 100-LQFP（14x14） |
| 接口 | HDLC，T1 |
| 封装/外壳 | 100-LQFP |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 停產 |
| 基本零件编号 | DS21352 |
| 电路数 | 1 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电压 - 电源 | 3.14V ~ 3.47V |
| 电流 - 电源 | 75mA |
| 包括 | DSX-1 和 CSU 线路补偿发生器，HDLC 控制器，带内回路代码发生器和检测器 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 托盘 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 | 3.3V |
| 技术 | CMOS |
| 运营商类型 | T-1(DS1) |
| 功能数量 | 1 |
| 电源 | 3.3V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 电信集成电路类型 | PCMTRANSCEIVER |
| JESD-30 代码 | S-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 100 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LFQFP |
| 封装等效代码 | QFP100,.63SQ,20 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLATPACK,LOWPROFILE,FINEPITCH |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 14mm |
| 长度 | 14mm |
| 座面最大高度 | 1.6mm |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | 14X14MM,LQFP-100 |
| 针数 | 100 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
