在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DS2154LN | MAXIM/美信 | DS2154 Enhanced E1 Single Chip Transceiver | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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DS2154LND2+ | MAXIM/美信 | DS2154 Enhanced E1 Single Chip Transceiver | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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DS2154LNA2+ | MAXIM/美信 | DS2154 Enhanced E1 Single Chip Transceiver | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 100-LQFP(14x14) |
封装/外壳 | 100-LQFP |
双工 | 完全版 |
类型 | 收发器 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 停產 |
基本零件编号 | DS2154 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
电压 - 电源 | 4.75V ~ 5.25V |
驱动器/接收器数 | 1/1 |
协议 | E1 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 管件 |
Part Life Cycle Code | Obsolete |
Supply Voltage-Nom | 5V |
Technology | CMOS |
Carrier Type | CEPTPCM-30/E-1 |
Telecom IC Type | FRAMER |
Number of Functions | 1 |
Power Supplies | 5V |
Temperature Grade | INDUSTRIAL |
JESD-30 Code | S-PQFP-G100 |
JESD-609 Code | e0 |
Qualification Status | NotQualified |
Moisture Sensitivity Level | 3 |
Operating Temperature-Max | 85°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 20 |
Number of Terminals | 100 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | LFQFP |
Package Equivalence Code | QFP100,.63SQ,20 |
Package Shape | SQUARE |
Package Style | FLATPACK,LOWPROFILE,FINEPITCH |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | Tin/Lead(Sn/Pb) |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Pitch | 500µm |
Terminal Position | QUAD |
Width | 14mm |
Length | 14mm |
Seated Height-Max | 1.6mm |
Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
Package Description | 14X14MM,1.40MMHEIGHT,LQFP-100 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
Part Package Code | QFP |
Pin Count | 100 |
生命周期 | Obsolete |
标称供电电压 | 5V |
技术 | CMOS |
运营商类型 | CEPTPCM-30/E-1 |
功能数量 | 1 |
电源 | 5V |
温度等级 | INDUSTRIAL |
电信集成电路类型 | FRAMER |
JESD-30 代码 | S-PQFP-G100 |
JESD-609代码 | e0 |
认证状态 | NotQualified |
湿度敏感等级 | 3 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
端子数量 | 100 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LFQFP |
封装等效代码 | QFP100,.63SQ,20 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLATPACK,LOWPROFILE,FINEPITCH |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead(Sn/Pb) |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 500µm |
端子位置 | QUAD |
宽度 | 14mm |
长度 | 14mm |
座面最大高度 | 1.6mm |
零件包装代码 | QFP |
包装说明 | 14X14MM,1.40MMHEIGHT,LQFP-100 |
针数 | 100 |
是否符合REACH标准 | not_compliant |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |