在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS2181AQN/T&R | MAXIM/美信 | DS2181 Cept Primary Rate Transceiver | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| DS2181AQN | MAXIM/美信 | DS2181 Cept Primary Rate Transceiver | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| DS2181A | MAXIM/美信 | DS2181 Cept Primary Rate Transceiver | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 40-PDIP |
| 封装/外壳 | 40-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 双工 | 完全版 |
| 类型 | 收发器 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 停產 |
| 基本零件编号 | DS2181A |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 电压 - 电源 | 4.5V ~ 5.5V |
| 驱动器/接收器数 | 1/1 |
| 协议 | CEPT |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| Technology | CMOS |
| Carrier Type | CEPTPCM-30/E-1 |
| Telecom IC Type | FRAMER |
| Number of Functions | 1 |
| Power Supplies | 5V |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T40 |
| JESD-609 Code | e0 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Number of Terminals | 40 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | DIP |
| Package Equivalence Code | DIP40,.6 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Width | 15.24mm |
| Length | 52.3875mm |
| Seated Height-Max | 4.064mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Package Description | 0.600INCH,DIP-40 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Part Package Code | DIP |
| Pin Count | 40 |
| ECCN Code | EAR99 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 | 5V |
| 技术 | CMOS |
| 运营商类型 | CEPTPCM-30/E-1 |
| 功能数量 | 1 |
| 电源 | 5V |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 电信集成电路类型 | FRAMER |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T40 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 端子数量 | 40 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP40,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 15.24mm |
| 长度 | 52.3875mm |
| 座面最大高度 | 4.064mm |
| 包装说明 | 0.600INCH,DIP-40 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 针数 | 40 |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
