在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） |
| 类型 | 硅序列号 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | DS2401 |
| 应用 | PCB，网络节点，设备识别/注册 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 封装 | TO92-3 |
| 数据总线宽度 | 64 bit |
| 包装 | Reel, Cut Tape |
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Memory Density | 64bit |
| Memory Width | 1 |
| Organization | 64X1 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Power Supplies | 3/5V |
| Memory IC Type | MEMORYCIRCUIT |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 64 |
| Number of Words | 64words |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.8V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | O-PBCY-T3 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 250 |
| Number of Terminals | 3 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TO-92 |
| Package Equivalence Code | SIP3,.1,50 |
| Package Shape | ROUND |
| Package Style | CYLINDRICAL |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Part Package Code | TO-92 |
| Package Description | ,SIP3,.1,50 |
| Pin Count | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 64bit |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 64X1 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 电源 | 3/5V |
| 内存集成电路类型 | MEMORYCIRCUIT |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 64 |
| 字数 | 64words |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.8V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 250 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TO-92 |
| 封装等效代码 | SIP3,.1,50 |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 零件包装代码 | TO-92 |
| 包装说明 | ,SIP3,.1,50 |
| 针数 | 3 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| S-8252AAL-M6T1U | ABLIC | 2720 | 17.005935 |
| S-8252AAU-M6T1U | ABLIC | 787 | 14.461740 |
| S-8252AAD-M6T1U | ABLIC | 162 | 15.734120 |
| S-8252AAB-M6T1U | ABLIC | 50 | 11.246043 |
| S-8252AAC-M6T1U | ABLIC | 50 | 22.571750 |
| S-8252AAF-M6T1U | ABLIC | 50 | 7.740783 |
| S-8252AAP-M6T1U | ABLIC | 50 | 22.837300 |
| S-8252AAV-M6T1U | ABLIC | 50 | 15.667450 |
| S-8252AAW-M6T1U | ABLIC | 50 | 15.667450 |
| DS2401P+T&R | MAXIM | 30 | 75.790456 |
