在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS2413P+T&R | MAXIM/美信 | 0 | 1000 | 中国内地：3-5工作日 中国香港：2-3工作日 |
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| DS2413P+T&R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 550 | 中国内地：9-14工作日 中国香港：9-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 6-TSOC |
| 封装/外壳 | 6-LSOJ（0.148"，3.76mm 宽） |
| 类型 | 可寻址开关 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | DS2413 |
| 应用 | 配件 ID 和控制，工业控制器，LED 控制，系统监控 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 封装 | TSOC-6 |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Number of Timers | 1 |
| Surface Mount | YES |
| Supply Voltage-Nom | 3.3V |
| uPs/uCs/Peripheral ICs Type | TIMER,PROGRAMMABLE |
| Technology | CMOS |
| Information Access Method | SERIAL,1-WIRE |
| Supply Voltage-Max | 5.25V |
| Supply Voltage-Min | 2.8V |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| JESD-30 Code | R-PDSO-C6 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 6 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOC |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | CBEND |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.5mm |
| Width | 3.81mm |
| Length | 3.937mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Part Package Code | SOIC |
| Package Description | SOC, |
| Pin Count | 6 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Transferred |
| 计时器数量 | 1 |
| 表面贴装 | YES |
| 标称供电电压 | 3.3V |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | TIMER,PROGRAMMABLE |
| 技术 | CMOS |
| 信息访问方法 | SERIAL,1-WIRE |
| 最大供电电压 | 5.25V |
| 最小供电电压 | 2.8V |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-C6 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 6 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOC |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | CBEND |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.5mm |
| 宽度 | 3.81mm |
| 长度 | 3.937mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOC, |
| 针数 | 6 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
