在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS2431+T&R | TD/钍地半导体 | 20000 | 1000 盘 | 中国内地：2-4工作日 |
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| DS2431+T&R | MAXIM/美信 | 10 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
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| DS2431+TR | MAXIM/美信 | 0 | 2000 | 中国内地：10-16工作日 中国香港：8-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 存储容量 | 1Kb （256 x 4） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 存储器接口 | 1-Wire® |
| 基本零件编号 | DS2431 |
| 访问时间 | 2µs |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | EEPROM |
| 在线目录 | 1-Wire |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Memory Density | 1.024kbit |
| Memory Width | 1 |
| Organization | 1KX1 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3V |
| Power Supplies | 3/5V |
| Memory IC Type | EEPROM |
| Command User Interface | NO |
| Data Polling | NO |
| Data Retention Time-Min | 40 |
| Endurance | 50000Write/EraseCycles |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 1000 |
| Number of Words | 1.024k |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | OPEN-DRAIN |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Reverse Pinout | NO |
| Serial Bus Type | 1-WIRE |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.25V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.8V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Write Protection | HARDWARE |
| JESD-30 Code | R-PBCY-T3 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 250 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 3 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Equivalence Code | SIP3,.1,50 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | CYLINDRICAL |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | MatteTin(Sn) |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Package Description | ,SIP3,.1,50 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Part Package Code | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 1.024kbit |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 1KX1 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3V |
| 电源 | 3/5V |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | NO |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 50000Write/EraseCycles |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 1000 |
| 字数 | 1.024k |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 反向引出线 | NO |
| 串行总线类型 | 1-WIRE |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.8V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 写保护 | HARDWARE |
| JESD-30 代码 | R-PBCY-T3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 250 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | SIP3,.1,50 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MatteTin(Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 零件包装代码 | TO-92 |
| 包装说明 | ,SIP3,.1,50 |
| 针数 | 3 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 206807-0321 | MOLEX | 4884000 | 0.464882 |
| 53015-0510 | MOLEX | 78855 | 1.048646 |
| 39-28-8060 | MOLEX | 10187 | 4.692063 |
| 75586-0010 | MOLEX | 8800 | 52.557960 |
| 73403-5072 | MOLEX | 4435 | 16.919332 |
| 39-28-1103 | MOLEX | 2434 | 2.772420 |
| 74723-0001 | MOLEX | 1277 | 61.782732 |
| 70246-1001 | MOLEX | 8 | 10.371200 |
| 39-29-1088 | MOLEX | 1 | 4.994292 |
| XC7Z045-2FFG900I | XILINX | 1 | 2393.042400 |
