在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
0
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS2431G+T&R | MAXIM/美信 | 1250 | 1 卷 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 | |
| DS2431G+T&R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 1 | 中国内地：9-14工作日 中国香港：1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 2-SFN（6x6） |
| 存储容量 | 1Kb （256 x 4） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 2-SFN |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 在售 |
| 存储器接口 | 1-Wire® |
| 基本零件编号 | DS2431 |
| 访问时间 | 2µs |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | EEPROM |
| 在线目录 | 1-Wire |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 零件状态 | 有源 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 封装 | SFN-2 |
| 接口类型 | Serial, 1-Wire, SDQ |
| 组织 | 256 x 4 |
| 存储容量 | 1 kbit |
| 数据保留 | 40 Year |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 电源电压-最小 | 2.8 V |
| 电源电压-最大 | 5.25 V |
| 包装 | Cut Tape, Reel |
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Memory Density | 1.024kbit |
| Memory Width | 1 |
| Organization | 1KX1 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3V |
| Power Supplies | 3/5V |
| Memory IC Type | EEPROM |
| Command User Interface | NO |
| Data Polling | NO |
| Data Retention Time-Min | 40 |
| Endurance | 50000Write/EraseCycles |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 1000 |
| Number of Words | 1.024k |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | OPEN-DRAIN |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Reverse Pinout | NO |
| Serial Bus Type | 1-WIRE |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.25V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.8V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Write Protection | HARDWARE |
| JESD-30 Code | S-XBCC-B2 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e4 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 2 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Code | VBCC |
| Package Equivalence Code | SURFMNT2,.25SQ |
| Package Shape | SQUARE |
| Package Style | CHIPCARRIER,VERYTHINPROFILE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Nickel/Palladium/Gold(Ni/Pd/Au) |
| Terminal Form | BUTT |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Seated Height-Max | 1mm |
| Length | 6mm |
| Width | 6mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Part Package Code | SFN |
| Package Description | VBCC,SURFMNT2,.25SQ |
| Pin Count | 2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 1.024kbit |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 1KX1 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3V |
| 电源 | 3/5V |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 50000Write/EraseCycles |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 1000 |
| 字数 | 1.024k |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 串行总线类型 | 1-WIRE |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.8V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | S-XBCC-B2 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e4 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | VBCC |
| 封装等效代码 | SURFMNT2,.25SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIPCARRIER,VERYTHINPROFILE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold(Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | BUTT |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 座面最大高度 | 1mm |
| 长度 | 6mm |
| 宽度 | 6mm |
| 零件包装代码 | SFN |
| 包装说明 | VBCC,SURFMNT2,.25SQ |
| 针数 | 2 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示，今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下，存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一，结合头部厂商最新财报来深度分析，未来存储行业趋势将有何变化？景气市况能否持续？
据知情人士透露，美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证，允许其向中东大规模运送人工智能（AI）加速器，同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分，利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点，头部ODM厂商业绩有哪些最新看点？
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
