在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 功能 | 控制器 |
| 供应商器件封装 | 8-TDFN（2x3） |
| 接口 | I²C |
| 封装/外壳 | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 不適用於新設計 |
| 基本零件编号 | DS2483 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电压 - 电源 | 1.71V ~ 5.25V |
| 电流 - 电源 | 300µA |
| 协议 | 1-Wire® |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 封装 | TDFN-8 |
| 包装 | Reel, Cut Tape |
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Supply Voltage-Nom | 1.8V |
| Interface IC Type | INTERFACECIRCUIT |
| Number of Functions | 1 |
| Supply Voltage-Max | 5.25V |
| Supply Voltage-Min | 1.71V |
| Surface Mount | YES |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | HVSON |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Pitch | 500µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 3mm |
| Seated Height-Max | 800µm |
| Width | 2mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Part Package Code | DFN |
| Package Description | HVSON, |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Transferred |
| 标称供电电压 | 1.8V |
| 接口集成电路类型 | INTERFACECIRCUIT |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电压 | 5.25V |
| 最小供电电压 | 1.71V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVSON |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 3mm |
| 座面最大高度 | 800µm |
| 宽度 | 2mm |
| 包装说明 | HVSON, |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 零件包装代码 | DFN |
| 针数 | 8 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
