在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS2505+T&R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 1 | 中国内地：9-14工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| DLSDS2505PLUS | MAXIM/美信 | 0 | 2000 | 中国内地：10-12工作日 中国香港：8-10工作日 |
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| DS2505+T | MAXIM/美信 | 0 | 2000 | 中国内地：4-7工作日 中国香港：3-5工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
| 封装类型 | TO-92 |
| Program Memory Type | EPROM |
| InterfaceType / Connectivity | 1-Wire |
| Storage Temperature Range | -55°C to +125°C |
| Supply Voltage | 2.8V to 6V |
| Memory Density | 16kb |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 存储容量 | 16Kb （16K x 1） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 存储器接口 | 1-Wire® |
| 基本零件编号 | DS2505 |
| 访问时间 | 15µs |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | EPROM - OTP |
| 在线目录 | OTP EPROM |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 散装 |
| 存储器格式 | EPROM |
| 封装 | TO-92-3 |
| 类型 | OTP |
| 电源电压-最大 | 6 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 编程电压 | 11.5 V to 12 V |
| 系列 | DS2505 |
| 接口类型 | 1-Wire |
| 电源电压-最小 | 2.8 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 16 k x 1 |
| 存储容量 | 16 kbit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 工作电源电流 | 5 uA |
| 包装 | Tube |
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Memory Density | 16.384kbit |
| Memory Width | 1 |
| Organization | 16KX1 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Power Supplies | 3/5V |
| Access Time-Max | 15µs |
| Memory IC Type | OTPROM |
| Additional Feature | MICROLANCOMPATIBLE |
| I/O Type | COMMON |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 16000 |
| Number of Words | 16.384k |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.8V |
| Technology | MOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | O-PBCY-T3 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 250 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 3 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TO-92 |
| Package Equivalence Code | SIP3,.1 |
| Package Shape | ROUND |
| Package Style | CYLINDRICAL |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Part Package Code | TO-92 |
| Package Description | TO-92,SIP3,.1 |
| Pin Count | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.71 |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 16.384kbit |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 16KX1 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 电源 | 3/5V |
| 最长访问时间 | 15µs |
| 内存集成电路类型 | OTPROM |
| 其他特性 | MICROLANCOMPATIBLE |
| I/O 类型 | COMMON |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 16000 |
| 字数 | 16.384k |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.8V |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 250 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TO-92 |
| 封装等效代码 | SIP3,.1 |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 零件包装代码 | TO-92 |
| 包装说明 | TO-92,SIP3,.1 |
| 针数 | 3 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.71 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 756 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
