在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 存储容量 | 64Kb （64K x 1） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 存储器接口 | 1-Wire® |
| 基本零件编号 | DS2506 |
| 访问时间 | 2µs |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | EPROM - OTP |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 存储器格式 | EPROM |
| 封装 | SOIC-Wide-8 |
| 系列 | DS2506S |
| 包装 | Tube |
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Memory Density | 65.536kbit |
| Memory Width | 1 |
| Organization | 64KX1 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Power Supplies | 3/5V |
| Memory IC Type | OTPROM |
| I/O Type | COMMON |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 64000 |
| Number of Words | 65.536k |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 6V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.8V |
| Technology | MOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Equivalence Code | SOP8,.3 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 2.13mm |
| Length | 5.31mm |
| Width | 5.285mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Part Package Code | SOIC |
| Package Description | SOP,SOP8,.3 |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.71 |
| Date Of Intro | 1997-03-26 |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 65.536kbit |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 64KX1 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 电源 | 3/5V |
| 内存集成电路类型 | OTPROM |
| I/O 类型 | COMMON |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 64000 |
| 字数 | 65.536k |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.8V |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 2.13mm |
| 长度 | 5.31mm |
| 宽度 | 5.285mm |
| 包装说明 | SOP,SOP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.71 |
| 零件包装代码 | SOIC |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 756 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
