在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
DS26518GNB1+ | MXM | 0 | 90 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
查看价格 | |
DS26518GNB1+ | MAXIM/美信 | 8-Port E1/T1/J1 Transceiver | 0 | 1 | 中国内地:4-7工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
---|---|
供应商器件封装 | 256-CSBGA(17x17) |
封装/外壳 | 256-BGA,CSBGA |
双工 | 完全版 |
类型 | 收发器 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | DS26518 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
电压 - 电源 | 3.135V ~ 3.465V |
驱动器/接收器数 | 8/8 |
协议 | T1/E1/J1 |
在线目录 | T1, E1, J1 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 托盘 |
封装 | CSBGA-256 |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
电源电压-最小 | 1.71 V, 3.135 V |
电源电压-最大 | 1.89 V, 3.465 V |
包装 | Tube |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年,专注于产品封测和嵌入式存储解决方案,强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控,产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示,今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下,存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一,结合头部厂商最新财报来深度分析,未来存储行业趋势将有何变化?景气市况能否持续?
据知情人士透露,美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证,允许其向中东大规模运送人工智能(AI)加速器,同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分,利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点,头部ODM厂商业绩有哪些最新看点?
商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
---|---|---|---|
SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |