在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS28E01P-100+T | MAXIM/美信 | 5000 | 4000 盘 | 中国内地：1-2工作日 |
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| DS28E01P-100+ | MAXIM/美信 | 72 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
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| DS28E01P-100+T | MAXIM/美信 | 45 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Memory Density | 1.024kbit |
| Memory Width | 1 |
| Organization | 1KX1 |
| Memory IC Type | EEPROM |
| Data Retention Time-Min | 40 |
| Endurance | 50000Write/EraseCycles |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 1000 |
| Number of Words | 1.024k |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Serial Bus Type | 1-WIRE |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.25V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.8V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-XDSO-C6 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 6 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Code | SOC |
| Package Equivalence Code | SOC6,.17 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | CBEND |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.5mm |
| Length | 4.2926mm |
| Width | 3.937mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Package Description | 0.150INCH,TSOC-6 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Part Package Code | SOIC |
| Pin Count | 6 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 内存密度 | 1.024kbit |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 1KX1 |
| 电源 | 3/5V |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 50000Write/EraseCycles |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 1000 |
| 字数 | 1.024k |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 串行总线类型 | 1-WIRE |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.8V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-C6 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 6 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SOC |
| 封装等效代码 | SOC6,.17 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | CBEND |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.5mm |
| 长度 | 4.2926mm |
| 宽度 | 3.937mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | 0.150INCH,TSOC-6 |
| 针数 | 6 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| 1843606 | PHOENIX | 256 | 1.928640 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
