在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS28E15G+T | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 2500 | 中国内地：3-5周 |
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| DS28E15G+T_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 2500 | 中国内地：3-5周 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
| Data Bus Width | 512b |
| Program Memory Type | EEPROM |
| InterfaceType / Connectivity | 1-Wire |
| Storage Temperature Range | -55°C to +125°C |
| Supply Voltage | 2.97V to 3.63V |
| 供应商器件封装 | 2-SFN（3.5x6.5） |
| 封装/外壳 | 2-WDFN |
| 类型 | 验证芯片 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | DS28E15 |
| 应用 | 身份验证，安全 |
| 系列 | DeepCover® |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 系列 | DS28E15 |
| 封装 | SFN-2 |
| 包装 | Reel, |
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Memory Density | 512bit |
| Memory Width | 1 |
| Organization | 512X1 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3V |
| Memory IC Type | EEPROM |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Words Code | 512 |
| Number of Words | 512words |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Serial Bus Type | 1-WIRE |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.63V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.97V |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | S-XBCC-B2 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 2 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Code | BCC |
| Package Shape | SQUARE |
| Package Style | CHIPCARRIER |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | NICKELGOLDPALLADIUM |
| Terminal Form | BUTT |
| Terminal Pitch | 3mm |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Seated Height-Max | 800µm |
| Length | 6.5mm |
| Width | 3.5mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Package Description | BCC, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.32.00.51 |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 512bit |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 512X1 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3V |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 512 |
| 字数 | 512words |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 串行总线类型 | 1-WIRE |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.97V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | S-XBCC-B2 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | BCC |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIPCARRIER |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | NICKELGOLDPALLADIUM |
| 端子形式 | BUTT |
| 端子节距 | 3mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 座面最大高度 | 800µm |
| 长度 | 6.5mm |
| 宽度 | 3.5mm |
| 包装说明 | BCC, |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 756 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
