在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS28E15P+T | MAXIM/美信 | 1-W 512B W/SHA-256 TSOC T&R | 2218 | 4000 盘 | 中国内地：1-2工作日 |
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| DS28E15P+T | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 4000 | 中国内地：6-8周 |
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| DS28E15P+T_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 4000 | 中国内地：6-8周 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
| Data Bus Width | 512b |
| Program Memory Type | EEPROM |
| InterfaceType / Connectivity | 1-Wire |
| Storage Temperature Range | -55°C to +125°C |
| Supply Voltage | 2.97V to 3.63V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOC |
| 封装/外壳 | 6-LSOJ（0.148"，3.76mm 宽） |
| 类型 | 验证芯片 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | DS28E15 |
| 应用 | 身份验证，安全 |
| 系列 | DeepCover® |
| 在线目录 | 1-Wire |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 封装 | TSOC-6 |
| 电源电压-最大 | 3.63 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | DS28E15 |
| 接口类型 | Serial, 1-Wire, SDQ |
| 电源电压-最小 | 2.97 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 512 x 1 |
| 电源电流—最大 | 19.5 uA |
| 存储容量 | 512 bit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 数据保留 | 10 Year |
| 包装 | Tube |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 512bit |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 512X1 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3V |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 512 |
| 字数 | 512words |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 串行总线类型 | 1-WIRE |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.97V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-C6 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 6 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOC |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | CBEND |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.5mm |
| 长度 | 4.29mm |
| 宽度 | 3.94mm |
| 包装说明 | SOC, |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 756 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
