在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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规格参数 | |
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封装 | TDFN-6 |
电源电压-最大 | 3.63 V |
电源电压-最小 | 2.97 V |
数据总线宽度 | 64 bit |
最大工作温度 | + 50 C |
最小工作温度 | 0 C |
包装 | Cut Tape |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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S-8252AAL-M6T1U | ABLIC | 2720 | 17.005935 |
S-8252AAU-M6T1U | ABLIC | 787 | 14.461740 |
S-8252AAD-M6T1U | ABLIC | 162 | 15.734120 |
S-8252AAB-M6T1U | ABLIC | 50 | 11.246043 |
S-8252AAC-M6T1U | ABLIC | 50 | 22.571750 |
S-8252AAF-M6T1U | ABLIC | 50 | 7.740783 |
S-8252AAP-M6T1U | ABLIC | 50 | 22.837300 |
S-8252AAV-M6T1U | ABLIC | 50 | 15.667450 |
S-8252AAW-M6T1U | ABLIC | 50 | 15.667450 |
DS2401P+T&R | MAXIM | 30 | 75.790456 |