在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
0
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DS28EC20P+T | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 4000 | 中国内地：6-8周 |
查看价格 | |
| DS28EC20P+T_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 4000 | 中国内地：6-8周 |
查看价格 | |
| DS28EC20P+T | TI/德州仪器 | 0 | 0 | 中国内地：9-12工作日 中国香港：7-10工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Program Memory Type | EEPROM |
| InterfaceType / Connectivity | 1-Wire |
| Storage Temperature Range | -55°C to +125°C |
| Supply Voltage | 4V to 5.25V |
| Memory Density | 20kb |
| 供应商器件封装 | 6-TSOC |
| 存储容量 | 20Kb （256 x 80） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 6-LSOJ（0.148"，3.76mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 存储器接口 | 1-Wire® |
| 基本零件编号 | DS28EC20 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | EEPROM |
| 在线目录 | 1-Wire |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 存储器格式 | EEPROM |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 20.48kbit |
| 内存宽度 | 1 |
| 组织 | 20KX1 |
| 电源 | 5V |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 200000Write/EraseCycles |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 2000 |
| 字数 | 20.48k |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 串行总线类型 | 1-WIRE |
| 最大压摆率 | 900nA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-C6 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 6 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOC |
| 封装等效代码 | SOC6,.17 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | CBEND |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.5mm |
| 长度 | 3.94mm |
| 宽度 | 3.76mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOC,SOC6,.17 |
| 针数 | 6 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示，今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下，存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一，结合头部厂商最新财报来深度分析，未来存储行业趋势将有何变化？景气市况能否持续？
据知情人士透露，美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证，允许其向中东大规模运送人工智能（AI）加速器，同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分，利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点，头部ODM厂商业绩有哪些最新看点？
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 206807-0321 | MOLEX | 4884000 | 0.464882 |
| 53015-0510 | MOLEX | 78855 | 1.048646 |
| 39-28-8060 | MOLEX | 10187 | 4.692063 |
| 75586-0010 | MOLEX | 8800 | 52.557960 |
| 73403-5072 | MOLEX | 4435 | 16.919332 |
| 39-28-1103 | MOLEX | 2434 | 2.772420 |
| 74723-0001 | MOLEX | 1277 | 61.782732 |
| 70246-1001 | MOLEX | 8 | 10.371200 |
| 39-29-1088 | MOLEX | 1 | 4.994292 |
| XC7Z045-2FFG900I | XILINX | 1 | 2393.042400 |
