在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 256-CSBGA(17x17) |
封装/外壳 | 256-BGA,CSBGA |
类型 | TDM(分时复用) |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | DS34S102 |
应用 | 数据传输 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 托盘 |
封装 | CSBGA-256 |
工作电源电流 | 50 mA, 225 mA |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
电源电压-最小 | 1.71 V, 3.135 V |
电源电压-最大 | 1.89 V, 3.465 V |
包装 | Tube |
Part Life Cycle Code | Transferred |
Supply Voltage-Nom | 1.8V |
Telecom IC Type | FRAMER |
Number of Functions | 1 |
Power Supplies | 1.8/3.3V |
Supply Current-Max | 280µA |
Temperature Grade | INDUSTRIAL |
JESD-30 Code | S-PBGA-B256 |
Qualification Status | NotQualified |
Moisture Sensitivity Level | 3 |
Operating Temperature-Max | 85°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Number of Terminals | 256 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | BGA |
Package Equivalence Code | BGA256,16X16,40 |
Package Shape | SQUARE |
Package Style | GRIDARRAY |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | BALL |
Terminal Pitch | 1mm |
Terminal Position | BOTTOM |
Width | 17mm |
Length | 17mm |
Seated Height-Max | 1.76mm |
Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
Part Package Code | BGA |
Package Description | BGA,BGA256,16X16,40 |
Pin Count | 256 |
Reach Compliance Code | compliant |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
ECCN Code | EAR99 |
生命周期 | NotRecommended |
标称供电电压 | 1.8V |
功能数量 | 1 |
电源 | 1.8/3.3V |
最大压摆率 | 280µA |
温度等级 | INDUSTRIAL |
电信集成电路类型 | FRAMER |
JESD-30 代码 | S-PBGA-B256 |
认证状态 | NotQualified |
湿度敏感等级 | 3 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
端子数量 | 256 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装等效代码 | BGA256,16X16,40 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRIDARRAY |
表面贴装 | YES |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 17mm |
长度 | 17mm |
座面最大高度 | 1.76mm |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | BGA,BGA256,16X16,40 |
针数 | 256 |
是否符合REACH标准 | compliant |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |