在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DS3930E+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 74 | 中国内地:3-5周 |
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DS3930E+_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 74 | 中国内地:3-5周 |
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DS3930E+ | MAXIM/美信 | Hex Nonvolatile w/I/O & Memory | 0 | 74 管 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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规格参数 | |
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电阻(欧姆) | 16.5k |
圆锥 | 线性 |
供应商器件封装 | 20-TSSOP |
存储器类型 | 非易失 |
接口 | I²C |
封装/外壳 | 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
温度系数(典型值) | ±250ppm/°C |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
配置 | 电位计 |
基本零件编号 | DS3930 |
电路数 | 6 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
抽头数 | 256 |
电压 - 电源 | 2.7V ~ 5.5V |
特性 | 可选地址 |
包装 | 管件 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 22657 | 0.226320 |
78B08T | GRAYHILL | 8048 | 10.856245 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
43650-0510 | MOLEX | 2646 | 15.421266 |
SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.628400 |
VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |
SZ1SMB24AT3G | LITTELFUSE | 7 | 2.410800 |
MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |