华强商城 被动器件(电容/电阻/电感) BOM配单 原厂专区 PCB制板 积分兑换
0
首页>IC索引
型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
DSPIC33EP256GM306-I/PT MICROCHIP/微芯 68 160 中国内地:3-4周
查看价格
DSPIC33EP256GM306-I/PT_R MICROCHIP/微芯 0 160 中国内地:3-4周
查看价格
规格参数
电压 - 电源(Vcc/Vdd) 3V ~ 3.6V
连接性 I²C,IrDA,LINbus,QEI,SPI,UART/USART
外设 欠压检测/复位,DMA,I²S,电机控制 PWM,POR,PWM,WDT
供应商器件封装 64-TQFP(10x10)
速度 70 MIPs
程序存储容量 256KB(85.5K x 24)
RAM 容量 32K x 8
封装/外壳 64-TQFP
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
零件状态 有源
基本零件编号 DSPIC33EP256GM306
I/O 数 53
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
振荡器类型 内部
程序存储器类型 闪存
系列 dsPIC™ 33EP
核心处理器 dsPIC
数据转换器 A/D 30x10b/12b
在线目录 dsPIC™ 33EP
核心尺寸 16 位
安装类型 表面贴装型
包装 托盘
Part Life Cycle Code Active
Bit Size 16
ROM (words) 262144
RAM (bytes) 32768
RAM (words) 32768
Clock Frequency-Max 60MHz
Number of I/O Lines 53
Number of Timers 15
Surface Mount YES
Supply Voltage-Nom 3.3V
uPs/uCs/Peripheral ICs Type DIGITALSIGNALPROCESSOR,CONTROLLER
Technology CMOS
Barrel Shifter YES
Boundary Scan YES
DAC Channels NO
DMA Channels YES
Format FIXEDPOINT
Has ADC YES
Integrated Cache NO
Internal Bus Architecture MULTIPLE
Low Power Mode YES
Number of DMA Channels 4
Number of External Interrupts 5
Number of Serial I/Os 6
On Chip Data RAM Width 8
On Chip Program ROM Width 24
Power Supplies 3.3V
PWM Channels YES
ROM Programmability FLASH
Supply Current-Max 60mA
Supply Voltage-Max 3.6V
Supply Voltage-Min 3V
Temperature Grade INDUSTRIAL
JESD-30 Code S-PQFP-G64
Qualification Status NotQualified
JESD-609 Code e3
Operating Temperature-Max 85°C
Operating Temperature-Min -40°C
Screening Level TS16949
Number of Terminals 64
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code TFQFP
Package Equivalence Code TQFP64,.47SQ
Package Shape SQUARE
Package Style FLATPACK,THINPROFILE,FINEPITCH
Terminal Finish MATTETIN
Terminal Form GULLWING
Terminal Pitch 500µm
Terminal Position QUAD
Seated Height-Max 1.2mm
Width 10mm
Length 10mm
Source Content uid DSPIC33EP256GM306-I/PT
Ihs Manufacturer MICROCHIPTECHNOLOGYINC
Package Description TFQFP,TQFP64,.47SQ
Reach Compliance Code compliant
HTS Code 8542.31.00.01
Samacsys Manufacturer Microchip
ECCN Code 3A991.A.2
生命周期 Active
位大小 16
ROM(单词) 262144
RAM(字节) 32768
RAM(字数) 32768
最大时钟频率 60MHz
I/O 线路数量 53
计时器数量 15
表面贴装 YES
标称供电电压 3.3V
uPs/uCs/外围集成电路类型 DIGITALSIGNALPROCESSOR,CONTROLLER
技术 CMOS
桶式移位器 YES
边界扫描 YES
DAC 通道 NO
DMA 通道 YES
格式 FIXEDPOINT
具有ADC YES
集成缓存 NO
内部总线架构 MULTIPLE
低功率模式 YES
DMA 通道数量 4
外部中断装置数量 5
串行 I/O 数 6
片上数据RAM宽度 8
片上程序ROM宽度 24
电源 3.3V
PWM 通道 YES
ROM可编程性 FLASH
最大压摆率 60mA
最大供电电压 3.6V
最小供电电压 3V
温度等级 INDUSTRIAL
JESD-30 代码 S-PQFP-G64
认证状态 NotQualified
JESD-609代码 e3
最高工作温度 85°C
最低工作温度 -40°C
筛选级别 TS16949
端子数量 64
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFQFP
封装等效代码 TQFP64,.47SQ
封装形状 SQUARE
封装形式 FLATPACK,THINPROFILE,FINEPITCH
端子面层 MATTETIN
端子形式 GULLWING
端子节距 500µm
端子位置 QUAD
座面最大高度 1.2mm
宽度 10mm
长度 10mm
包装说明 TFQFP,TQFP64,.47SQ
是否符合REACH标准 compliant
ECCN代码 3A991.A.2
HTS代码 8542.31.00.01
交付时间 [objectObject]
行业资讯推荐
  • MDDG03R01G低导通MOS 跨越新领域,提升同步整流、DC-DC转换效率

    ​在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。

    more >
  • 国芯筑梦 南天门启航 科摩思发布旗舰SSD性能高达7100MB/s

    超盈智能科技蛰伏存储行业13年,专注于产品封测和嵌入式存储解决方案,强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控,产品稳定性得到高度保证。

    more >
  • 美国今年的芯片制造投资支出已超过前27年总和

    根据最新数据显示,今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。

    more >
  • 最新全球存储厂商业绩大PK及行情预判

    当下,存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一,结合头部厂商最新财报来深度分析,未来存储行业趋势将有何变化?景气市况能否持续?

    more >
  • 美国商务部放缓英伟达、AMD对中东出口AI芯片

    据知情人士透露,美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证,允许其向中东大规模运送人工智能(AI)加速器,同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。

    more >
  • 最新全球TOP12电子代工ODM厂商业绩大PK

    电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分,利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点,头部ODM厂商业绩有哪些最新看点?

    more >
相关产品推荐
商品名称品牌库存价格
MB85RS64VPNF-G-JNERE1 FUJITSU 2541 10.512740
1843606 PHOENIX 756 1.928640
1984031 PHOENIX 510 3.977820
1803565 PHOENIX 290 12.657680
IS42S16800F-7BLI ISSI 226 19.051200
FN2080-1-06 SCHAFFNER 48 139.650000
FM24V02A-GTR CYPRESS 25 24.170760
CY8C4025LQI-S412 CYPRESS 10 45.276000
FM24C04B-GTR CYPRESS 10 16.146480
DF50A-4S-1C HIROSE 5 0.490000
相关品牌推荐
  • ADESTO
  • IBM
  • MICRON/美光
  • ST/意法