在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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DSPIC33EP256GP502T-I/MM | MICROCHIP/微芯 | 1600 | 1600 | 中国内地:11-17工作日 |
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DSPIC33EP256GP502T-I/MM DSPIC33EP256GP502-I/MM | MICROCHIP/微芯 | 0 | 1 | 中国内地:3-5工作日 |
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DSPIC33EP256GP502T-I/MM.DSPIC33EP256GP502T-E/MM | MICROCHIP/微芯 | 0 | 1600 | 中国内地:3-5工作日 |
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规格参数 | |
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安装方式 | Surface Mount |
封装类型 | QFN-28 |
Family Name | dsPIC33EP |
Operating Temperature | -40°C to +85°C |
Program Memory Type | Flash |
Core Processor | dsPIC |
InterfaceType / Connectivity | CANbus/IrDA/I2C/LINbus/SPI/UART/USART |
RAM Size | 16kB |
No of I/O Lines | 21 |
Speed | 70MHz |
Supply Voltage | 3V to 3.6V |
Flash Size (Bytes) | 256kB |
On-Chip ADC | 6-chx10-bit / 6-chx12-bit |
Peripherals | Brown-out Detect/DMA/POR/Reset/Watchdog |
电压 - 电源(Vcc/Vdd) | 3V ~ 3.6V |
连接性 | CANbus,I²C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART |
外设 | 欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT |
供应商器件封装 | 28-QFN-S(6x6) |
速度 | 70 MIPs |
程序存储容量 | 256KB(85.5K x 24) |
RAM 容量 | 16K x 16 |
封装/外壳 | 28-VQFN 裸露焊盘 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | DSPIC33EP256GP502 |
I/O 数 | 21 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
振荡器类型 | 内部 |
程序存储器类型 | 闪存 |
系列 | dsPIC™ 33EP |
核心处理器 | dsPIC |
数据转换器 | A/D 6x10b/12b |
核心尺寸 | 16 位 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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206807-0321 | MOLEX | 4884000 | 0.464882 |
53015-0510 | MOLEX | 78855 | 1.048646 |
39-28-8060 | MOLEX | 10187 | 4.692063 |
75586-0010 | MOLEX | 8800 | 52.557960 |
73403-5072 | MOLEX | 4435 | 16.919332 |
39-28-1103 | MOLEX | 2434 | 2.772420 |
74723-0001 | MOLEX | 1277 | 61.782732 |
70246-1001 | MOLEX | 8 | 10.371200 |
39-29-1088 | MOLEX | 1 | 4.994292 |
XC7Z045-2FFG900I | XILINX | 1 | 2393.042400 |