在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DSPIC33EV32GM104-I/PT | MICROCHIP/微芯 | 2240 | 160 | 中国内地：11-17工作日 |
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| DSPIC33EV32GM104-I/PTVAO | MICROCHIP/微芯 | 0 | 1000 | 中国内地：8-12工作日 |
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| DSPIC33EV32GM104-I/PT_R | MICROCHIP/微芯 | 0 | 160 | 中国内地：11-17工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 4.5V ~ 5.5V |
| 连接性 | CANbus，I²C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART |
| 外设 | 欠压检测/复位，DMA，电机控制 PWM，POR，PWM，WDT |
| 供应商器件封装 | 44-TQFP（10x10） |
| 速度 | 70 MIPs |
| 程序存储容量 | 32KB（11K x 24） |
| RAM 容量 | 4K x 8 |
| 封装/外壳 | 44-TQFP |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | DSPIC33EV32GM1 |
| I/O 数 | 35 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 振荡器类型 | 内部 |
| 程序存储器类型 | 闪存 |
| 系列 | dsPIC™ 33EV |
| 核心处理器 | dsPIC |
| 数据转换器 | A/D 24x10/12b |
| 核心尺寸 | 16 位 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 托盘 |
| 封装 | TQFP-44 |
| 工作电源电压 | 4.5 V to 5.5 V |
| 最大时钟频率 | 70 MHz |
| 产品 | DSCs |
| 资格 | AEC-Q100 |
| 程序存储器大小 | 32 kB |
| 商标名 | dsPIC |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 核心 | dsPIC33E |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 数据 RAM 大小 | 4 kB |
| 包装 | Tray |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Bit Size | 16 |
| Speed | 70MHz |
| RAM (words) | 4096 |
| Clock Frequency-Max | 40MHz |
| Number of I/O Lines | 35 |
| Number of Timers | 7 |
| Surface Mount | YES |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| uPs/uCs/Peripheral ICs Type | DIGITALSIGNALPROCESSOR,CONTROLLER |
| Technology | CMOS |
| Barrel Shifter | YES |
| Boundary Scan | NO |
| DMA Channels | YES |
| Format | FIXEDPOINT |
| Has ADC | YES |
| Integrated Cache | NO |
| Internal Bus Architecture | MULTIPLE |
| Low Power Mode | YES |
| Number of DMA Channels | 4 |
| Number of External Interrupts | 4 |
| On Chip Data RAM Width | 8 |
| On Chip Program ROM Width | 8 |
| Power Supplies | 5V |
| PWM Channels | YES |
| ROM Programmability | FLASH |
| Supply Current-Max | 60mA |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Supply Voltage-Min | 4.5V |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | S-PQFP-G44 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Screening Level | TS16949 |
| Number of Terminals | 44 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TQFP |
| Package Equivalence Code | TQFP44,.47SQ,32 |
| Package Shape | SQUARE |
| Package Style | FLATPACK,THINPROFILE |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 800µm |
| Terminal Position | QUAD |
| Seated Height-Max | 1.2mm |
| Width | 10mm |
| Length | 10mm |
| Source Content uid | DSPIC33EV32GM104-I/PT |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Package Description | TQFP-44 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | 3A991.A.2 |
| HTS Code | 8542.31.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 756 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
