在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DSPIC33FJ64GS606T-E/PT | MICROCHIP/微芯 | 0 | 1000 | 中国内地：8-12工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 位大小 | 16 |
| 速度 | 40MHz |
| ROM（单词） | 65536 |
| RAM（字节） | 9216 |
| RAM（字数） | 9216 |
| CPU系列 | PIC |
| 最大时钟频率 | 40MHz |
| 计时器数量 | 7 |
| 表面贴装 | YES |
| 标称供电电压 | 3.3V |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | DIGITALSIGNALPROCESSOR,OTHER |
| 技术 | CMOS |
| 桶式移位器 | YES |
| 边界扫描 | YES |
| 格式 | FIXEDPOINT |
| 集成缓存 | NO |
| 内部总线架构 | MULTIPLE |
| 低功率模式 | YES |
| DMA 通道数量 | 4 |
| 外部中断装置数量 | 5 |
| 串行 I/O 数 | 2 |
| 片上数据RAM宽度 | 8 |
| 片上程序ROM宽度 | 24 |
| 电源 | 3.3V |
| ROM可编程性 | FLASH |
| 最大压摆率 | 170mA |
| 最大供电电压 | 3.6V |
| 最小供电电压 | 3V |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 代码 | S-PQFP-G64 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 筛选级别 | AEC-Q100;TS16949 |
| 端子数量 | 64 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TQFP |
| 封装等效代码 | TQFP64,.47SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLATPACK,THINPROFILE |
| 端子面层 | MatteTin(Sn)-annealed |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | QUAD |
| 座面最大高度 | 1.2mm |
| 宽度 | 10mm |
| 长度 | 10mm |
| 包装说明 | TQFP-64 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.A.2 |
| HTS代码 | 8542.31.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 22657 | 0.226320 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 10.856245 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2646 | 15.421266 |
| SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.628400 |
| VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |
| SZ1SMB24AT3G | LITTELFUSE | 7 | 2.410800 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
