在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| E-L9637D013TR | ST/意法 | 1 | 1 | 中国内地：3-5工作日 |
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| E-L9637D | ST/意法 | ISO 9141 Interface | 0 | 10000 | 中国内地：4-7工作日 中国香港：3-5工作日 |
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| E-L9637D013TR | TI/德州仪器 | 0 | 2500 | 中国内地：8-11工作日 中国香港：7-9工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| Operating Temp Range | -40°C to +150°C |
| 封装类型 | SOIC-8 |
| Function | Transceiver |
| No of Terminals | 8 |
| Supply Voltage | 4.5V to 36V |
| Supply Current | ±5µA |
| ESD Voltage-Max | 2kV |
| No. of Drivers | 1 |
| No. of Receivers | 1 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 类型 | 收发器 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | L9637 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 电压 - 电源 | 4.5V ~ 36V |
| 驱动器/接收器数 | 1/1 |
| 系列 | 汽车级 |
| 协议 | ISO 9141 |
| 在线目录 | Data Interface |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 封装 | SO-8 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 包装 | Tube |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 5V |
| 输入特性 | SCHMITTTRIGGER |
| 驱动器位数 | 1 |
| 接收器位数 | 1 |
| 接口集成电路类型 | LINETRANSCEIVER |
| 差分输出 | NO |
| 接口标准 | ISO9141 |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电压 | 7V |
| 最小供电电压 | 3V |
| 电源电压1-最大 | 36V |
| 电源电压1-分钟 | 4.5V |
| 表面贴装 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold(Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 4.9mm |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, |
| 针数 | 8 |
| MSL | MSL 3 - 168小时 |
| 汽车质量标准 | - |
| 工作温度最小值 | -40°C |
| 工作温度最高值 | 150°C |
| 芯片接口类型 | 串行 |
| 电源电压最小值 | 4.5V |
| 电源电压最大值 | 36V |
| 接口封装类型 | SOIC |
| 针脚数 | 8引脚 |
| 接口应用 | 双向串行通信, 车用诊断系统 |
| 产品范围 | Fuse Kits |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 8 | 10.976000 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
