在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| EDB1332BDBH-1DAAT-F-D | MICRON/美光 | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 134-VFBGA(10x11.5) |
| 存储容量 | 1Gb (32M x 32) |
| 存储器类型 | 易失 |
| 封装/外壳 | 134-VFBGA |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
| 零件状态 | 有源 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C(TC) |
| 电压 - 电源 | 1.14V ~ 1.95V |
| 技术 | SDRAM - 移动 LPDDR2 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 散装 |
| 时钟频率 | 533MHz |
| 存储器格式 | DRAM |
| 封装 | VFBGA-134 |
| 类型 | SDRAM Mobile - LPDDR2 |
| 电源电压-最大 | 1.95 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最大时钟频率 | 533 MHz |
| 系列 | EDB |
| 电源电压-最小 | 1.14 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 32 M x 32 |
| 访问时间 | 5.5 ns |
| 数据总线宽度 | 32 bit |
| 电源电流—最大 | 30 mA |
| 存储容量 | 1 Gbit |
| 最大工作温度 | + 105 C |
| 包装 | Tray |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年,专注于产品封测和嵌入式存储解决方案,强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控,产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示,今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下,存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一,结合头部厂商最新财报来深度分析,未来存储行业趋势将有何变化?景气市况能否持续?
据知情人士透露,美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证,允许其向中东大规模运送人工智能(AI)加速器,同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分,利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点,头部ODM厂商业绩有哪些最新看点?
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 206807-0321 | MOLEX | 4844000 | 0.459754 |
| 53015-0510 | MOLEX | 70655 | 1.037079 |
| 39-28-8060 | MOLEX | 26087 | 4.640309 |
| 70246-1001 | MOLEX | 24605 | 4.921527 |
| 75586-0010 | MOLEX | 8800 | 56.209020 |
| 73403-5072 | MOLEX | 4382 | 16.732707 |
| 39-28-1103 | MOLEX | 2048 | 2.772420 |
| 74723-0001 | MOLEX | 1277 | 61.101254 |
| 70246-1001 | MOLEX | 3 | 10.371200 |
| 39-29-1088 | MOLEX | 1 | 4.994292 |