在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| EFM32LG232F256G-E-QFP64 | SILICON LABS/芯科 | 256k Flash, 32k RAM, AES | 0 | 720 | 中国内地:4-7工作日 中国香港:3-5工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 电压 - 电源(Vcc/Vdd) | 1.85V ~ 3.8V |
| 连接性 | I²C,IrDA,智能卡,SPI,UART/USART |
| 外设 | 欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT |
| 供应商器件封装 | 64-TQFP(10x10) |
| 速度 | 48MHz |
| 程序存储容量 | 256KB(256K x 8) |
| RAM 容量 | 32K x 8 |
| 封装/外壳 | 64-TQFP |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
| 零件状态 | 在售 |
| I/O 数 | 53 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
| 振荡器类型 | 内部 |
| 程序存储器类型 | 闪存 |
| 系列 | Leopard Gecko |
| 核心处理器 | ARM® Cortex®-M3 |
| 数据转换器 | A/D 8x12b;D/A 2x12b |
| 核心尺寸 | 32-位 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | 托盘 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 5200 | 1.435840 |
| SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.178250 |
| DF14-6S-1.25C | HRS | 3000 | 0.815100 |
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 800 | 2.056320 |
| DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 700 | 3.094560 |
| DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 3.505600 |
| DF22-3S-7.92C(28) | HRS | 500 | 0.954180 |
| 1843606 | PHOENIX | 250 | 1.928640 |
| 1803565 | PHOENIX | 240 | 12.210800 |