在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| EFM8LB11F16E-B-QFN32 | SILICON LABS/芯科 | 8051 75 MHz 16 kB flash 1.25 kB RAM 8-bit Laser Bee MCU | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 2.2V ~ 3.6V |
| 连接性 | I²C，SMBus，SPI，UART/USART |
| 外设 | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 供应商器件封装 | 32-QFN（4x4） |
| 速度 | 72MHz |
| 程序存储容量 | 16KB（16K x 8） |
| RAM 容量 | 1.25K x 8 |
| 封装/外壳 | 32-UFQFN 裸露焊盘 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 2（1 年） |
| 零件状态 | 不適用於新設計 |
| I/O 数 | 29 |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C（TA） |
| 振荡器类型 | 内部 |
| 程序存储器类型 | 闪存 |
| 系列 | Laser Bee |
| 核心处理器 | CIP-51 8051 |
| 数据转换器 | A/D 20x14b; D/A 2x12b |
| 在线目录 | EFM8™ Laser Bee |
| 核心尺寸 | 8 位 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 托盘 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.124072 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 6317 | 1.534000 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.792215 |
| 43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.732707 |
| TLE4250-2G | INFINEON | 636 | 3.134040 |
| HFBR-1521Z | BROADCOM | 325 | 40.920000 |
| VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |
| CDNBS08-SLVU2.8-4 | BOURNS | 100 | 10.701600 |
| NRF51822-QFAA | NORDIC | 51 | 27.048000 |
| FTSH-105-01-L-DV-P-TR | SAMTEC | 3 | 15.970080 |
