在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| EFR32BG21A020F1024IM32-B | SILICON LABS/芯科 | EFR32BG21A020F1024IM32 B | 10 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
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| EFR32BG21A020F1024IM32-BR | SILICON LABS/芯科 | EFR32BG21A020F1024IM32 BR | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 32-QFN（4x4） |
| 封装/外壳 | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 2（1 年） |
| 零件状态 | 有源 |
| 系列 | * |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 托盘 |
| 封装/尺寸 | QFN-32(4x4) |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 3V |
| 数据速率 | 2Gbps |
| 电信集成电路类型 | TELECOMCIRCUIT |
| 功能数量 | 1 |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 代码 | S-XQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 2 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 端子数量 | 32 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | HVQCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.16SQ,16 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 400µm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 4mm |
| 长度 | 4mm |
| 座面最大高度 | 900µm |
| 包装说明 | HVQCCN,LCC32,.16SQ,16 |
| MSL | MSL 2 - 1年 |
| MPU 封装类型 | QFN |
| CPU速度 | 80MHz |
| 内核架构 | ARM Cortex-M33 |
| 针脚数 | 32Pins |
| MPU系列 | EFR32 |
| 产品范围 | - |
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DPX165850DT-8117A1 | TDK(东电化) | 68000 | 0.477108 |
| HCTF21601 | AMPHENOL | 8355 | 1.369625 |
| HCTF12001 | AMPHENOL | 7451 | 1.470000 |
| AC-CP000382 | AMPHENOL | 287 | 0.232044 |
| ADE-12MH+ | MINI-CIRCUITS | 39 | 91.910280 |
| ADE-12+ | MINI-CIRCUITS | 17 | 40.748400 |
| TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
| TCM1-83X+ | MINI-CIRCUITS | 3 | 57.036000 |
| KAT-3+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 66.912048 |
| ADE-2+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 45.864000 |
