在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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EL5171ISZ-T7 | RENESAS/瑞萨 | EL5171ISZ 200MHZ DIF DRVR EXTERNAL FEEDB | 4512 | 2500 盘 | 中国内地:1-2工作日 |
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EL5171ISZ-T7 | INTERSIL/英特矽尔 | 2 | 1 | 中国内地:1-2工作日 |
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EL5171ISZ-T13 | ELANTEC | EL5171 - 250MHz Differential Twisted-Pair Driver | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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规格参数 | |
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安装方式 | Surface Mount |
封装类型 | SOIC-8 |
No of Channels | 3 |
Supply Voltage-Max | 12V |
Input Offset Voltage-Max | 25mV |
Gain Bandwidth-Nom | 250MHz |
Slew Rate-Nom | 800V/µs |
封装 | SOIC-8 |
工作电源电流 | 7.5 mA |
电源电压-最大 | 11 V |
电源电压-最小 | 4.75 V |
Ib - 输入偏流 | - 6 uA |
Vos - 输入偏置电压 | 1.5 mV |
每个通道的输出电流 | 90 mA |
CMRR - 共模抑制比 | 70 dB |
GBP-增益带宽产品 | 250 MHz |
SR - 转换速率 | 800 V/us |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
包装 | Tube |
生命周期 | Obsolete |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 3 |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子面层 | MATTETIN |
零件包装代码 | SOICN |
包装说明 | , |
针数 | 8 |
制造商包装代码 | M8.15E |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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QCPL-7847-500E | 安华高(AVAGO) | 20052 | 28.504427 |
MC34072G-S08-R | UTC | 13876 | 0.512910 |
TS321ILT | STMICROELECTRONICS | 2663 | 1.133076 |
TL072CDT | STMICROELECTRONICS | 2180 | 0.795564 |
HCPL-7800A-500E | 安华高(AVAGO) | 2125 | 84.110985 |
ACPL-C790-500E | 安华高(AVAGO) | 934 | 21.495089 |
TSM103WAIDT | STMICROELECTRONICS | 75 | 3.088284 |
MCP6561T-E/LT | MICROCHIP | 36 | 3.745842 |
MCP6001UT-I/OT | MICROCHIP | 13 | 2.560368 |
LM324DT | ST/意法 | 11 | 2.160000 |