在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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规格参数 | |
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最大输入失调电压 | 13mV |
标称带宽 (3dB) | 12MHz |
标称压摆率 | 12V/us |
最大平均偏置电流 (IIB) | 50nA |
最大压摆率 | 750µA |
最小共模抑制比 | 50dB |
功能数量 | 4 |
放大器类型 | OPERATIONALAMPLIFIER |
标称供电电压 (Vsup) | 5V |
标称负供电电压 (Vsup) | -5V |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 50nA |
频率补偿 | YES |
低-偏置 | NO |
低-失调 | NO |
微功率 | NO |
负供电电压上限 | -9.9V |
功率 | NO |
可编程功率 | NO |
供电电压上限 | 9.9V |
温度等级 | INDUSTRIAL |
标称均一增益带宽 | 8MHz |
最小电压增益 | 5623.413 |
宽带 | NO |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
JESD-609代码 | e3 |
标称共模抑制比 | 75dB |
湿度敏感等级 | 2 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 14 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP14,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
包装方法 | TR |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 650µm |
端子位置 | DUAL |
座面最大高度 | 1.2mm |
宽度 | 4.4mm |
长度 | 5mm |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.33.00.01 |
包装说明 | TSSOP,TSSOP14,.25 |
零件包装代码 | TSSOP |
针数 | 14 |
制造商包装代码 | MDP0044 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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QCPL-7847-500E | 安华高(AVAGO) | 20052 | 28.504427 |
MC34072G-S08-R | UTC | 13876 | 0.512910 |
TS321ILT | STMICROELECTRONICS | 2663 | 1.133076 |
TL072CDT | STMICROELECTRONICS | 2180 | 0.795564 |
HCPL-7800A-500E | 安华高(AVAGO) | 2125 | 84.110985 |
ACPL-C790-500E | 安华高(AVAGO) | 934 | 21.495089 |
TSM103WAIDT | STMICROELECTRONICS | 75 | 3.088284 |
MCP6561T-E/LT | MICROCHIP | 36 | 3.745842 |
MCP6001UT-I/OT | MICROCHIP | 13 | 2.560368 |
LM324DT | ST/意法 | 11 | 2.160000 |