在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| EP20K100EFC324-1 | ALTERA/阿尔特拉 | 2 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Supply Voltage-Nom | 1.8V |
| Propagation Delay | 1.73ns |
| Number of Inputs | 238 |
| Number of Outputs | 238 |
| Number of Logic Cells | 4160 |
| Number of Dedicated Inputs | 4 |
| Number of I/O Lines | 246 |
| Programmable Logic Type | LOADABLEPLD |
| Temperature Grade | OTHER |
| Package Shape | SQUARE |
| Technology | CMOS |
| Organization | 4DEDICATEDINPUTS,246I/O |
| Clock Frequency-Max | 160MHz |
| Output Function | MACROCELL |
| Power Supplies | 1.8,1.8/3.3V |
| Supply Voltage-Max | 1.89V |
| Supply Voltage-Min | 1.71V |
| JESD-30 Code | S-PBGA-B324 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Moisture Sensitivity Level | 3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 220 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 20 |
| Number of Terminals | 324 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | BGA |
| Package Equivalence Code | BGA324,18X18,40 |
| Package Style | GRIDARRAY |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | BALL |
| Terminal Pitch | 1mm |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Width | 19mm |
| Length | 19mm |
| Seated Height-Max | 3.5mm |
| Ihs Manufacturer | ALTERACORP |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| Part Package Code | BGA |
| Package Description | FINELINE,BGA-324 |
| Pin Count | 324 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| ECCN Code | 3A991.D |
| 生命周期 | Transferred |
| 标称供电电压 | 1.8V |
| 传播延迟 | 1.73ns |
| 输入次数 | 238 |
| 输出次数 | 238 |
| 逻辑单元数量 | 4160 |
| 专用输入次数 | 4 |
| I/O 线路数量 | 246 |
| 可编程逻辑类型 | LOADABLEPLD |
| 温度等级 | OTHER |
| 封装形状 | SQUARE |
| 技术 | CMOS |
| 组织 | 4DEDICATEDINPUTS,246I/O |
| 最大时钟频率 | 160MHz |
| 输出函数 | MACROCELL |
| 电源 | 1.8,1.8/3.3V |
| 最大供电电压 | 1.89V |
| 最小供电电压 | 1.71V |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B324 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 220 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 端子数量 | 324 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA324,18X18,40 |
| 封装形式 | GRIDARRAY |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 19mm |
| 长度 | 19mm |
| 座面最大高度 | 3.5mm |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | FINELINE,BGA-324 |
| 针数 | 324 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| ECCN代码 | 3A991.D |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74HC14D | NEXPERIA | 32368 | 0.396060 |
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 29875 | 0.925980 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19865 | 0.239120 |
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 17541 | 1.229125 |
| 74HC4050D | NEXPERIA | 14440 | 0.869860 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 2905 | 0.141450 |
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
| 74HC02D | NEXPERIA | 430 | 0.381300 |
| 74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |
