在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| EPF10K200EGC599-3 | ALTERA/阿尔特拉 | FLEX 10K Embedded Programmable Logic Device | 134 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom | 2.5V |
| Propagation Delay | 800ps |
| Number of Inputs | 470 |
| Number of Outputs | 470 |
| Number of Logic Cells | 9984 |
| Number of I/O Lines | 470 |
| Programmable Logic Type | LOADABLEPLD |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| Package Shape | SQUARE |
| Technology | CMOS |
| Organization | 470I/O |
| Additional Feature | 9984LOGICELEMENTS |
| Clock Frequency-Max | 140MHz |
| Output Function | MIXED |
| Power Supplies | 2.5,2.5/3.3V |
| Supply Voltage-Max | 2.7V |
| Supply Voltage-Min | 2.3V |
| JESD-30 Code | S-CPGA-P599 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 220 |
| Number of Terminals | 599 |
| Package Body Material | CERAMIC,METAL-SEALEDCOFIRED |
| Package Code | PGA |
| Package Equivalence Code | SPGA599,47X47 |
| Package Style | GRIDARRAY |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | PIN/PEG |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | PERPENDICULAR |
| Width | 62.484mm |
| Length | 62.484mm |
| Seated Height-Max | 5.08mm |
| Ihs Manufacturer | ALTERACORP |
| Part Package Code | PGA |
| Package Description | PGA,SPGA599,47X47 |
| Pin Count | 599 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| ECCN Code | 3A991.D |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 | 2.5V |
| 传播延迟 | 800ps |
| 输入次数 | 470 |
| 输出次数 | 470 |
| 逻辑单元数量 | 9984 |
| I/O 线路数量 | 470 |
| 可编程逻辑类型 | LOADABLEPLD |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 封装形状 | SQUARE |
| 技术 | CMOS |
| 组织 | 470I/O |
| 其他特性 | 9984LOGICELEMENTS |
| 最大时钟频率 | 140MHz |
| 输出函数 | MIXED |
| 电源 | 2.5,2.5/3.3V |
| 最大供电电压 | 2.7V |
| 最小供电电压 | 2.3V |
| JESD-30 代码 | S-CPGA-P599 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 220 |
| 端子数量 | 599 |
| 封装主体材料 | CERAMIC,METAL-SEALEDCOFIRED |
| 封装代码 | PGA |
| 封装等效代码 | SPGA599,47X47 |
| 封装形式 | GRIDARRAY |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | PERPENDICULAR |
| 宽度 | 62.484mm |
| 长度 | 62.484mm |
| 座面最大高度 | 5.08mm |
| 零件包装代码 | PGA |
| 包装说明 | PGA,SPGA599,47X47 |
| 针数 | 599 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| ECCN代码 | 3A991.D |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74HC14D | NEXPERIA | 32368 | 0.396060 |
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 29875 | 0.925980 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19865 | 0.239120 |
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 17541 | 1.229125 |
| 74HC4050D | NEXPERIA | 14440 | 0.869860 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 2905 | 0.141450 |
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
| 74HC02D | NEXPERIA | 430 | 0.381300 |
| 74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |
