在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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ERA-6AEB472V | PANASONIC/松下 | 4.7KΩ(472) ±0.1% | 230000 | 5000 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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ERA6AHD110V | PANASONIC/松下 | 125000 | 5000 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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ERA6AEB103V | PANASONIC/松下 | 10KΩ(1002) ±0.1% | 87717 | 5000 | 中国内地:2-3工作日 |
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规格参数 | |
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频率 | 0 Hz to 4 GHz |
OIP3 - 三阶截点 | 28.5 dBm |
工作电源电压 | 5 V |
工作电源电流 | 70 mA |
NF—噪声系数 | 4.7 dB |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 45 C |
包装 | Reel, Cut Tape |
生命周期 | Active |
特性阻抗 | 50Ω |
最大输入功率 (CW) | 20dBm |
最大电压驻波比 | 1.8 |
增益 | 9.8dB |
表面贴装 | YES |
最大工作频率 | 4GHz |
射频/微波设备类型 | WIDEBANDLOWPOWER |
功能数量 | 1 |
电源 | 4.6V |
最大压摆率 | 70mA |
JESD-609代码 | e2 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -45°C |
构造 | COMPONENT |
安装特点 | SURFACEMOUNT |
端子数量 | 4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码 | SL,4LEAD,.085CIRC |
ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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HCTF12001 | AMPHENOL | 12989 | 1.470000 |
HCTF21601 | AMPHENOL | 7778 | 1.369625 |
M24LR16E-RDW6T/2 | STM | 4000 | 5.812736 |
AC-CP000382 | AMPHENOL | 1326 | 0.232044 |
ADE-12MH+ | MINI-CIRCUITS | 39 | 91.910280 |
ADE-12+ | MINI-CIRCUITS | 17 | 40.748400 |
TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
TCM1-83X+ | MINI-CIRCUITS | 3 | 57.036000 |
KAT-3+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 66.912048 |
ADE-2+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 45.864000 |