在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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FAN2012EMPX | FAIRCHILD/仙童 | 0 | 0 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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FAN2012EMPX | ON/安森美 | Switching Regulator, Current-mode, 1.5A, 1600kHz Switching Freq-Max | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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规格参数 | |
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生命周期 | Transferred |
标称输入电压 | 5V |
最大输入电压 | 5.5V |
最小输入电压 | 4.5V |
最大输出电流 | 1.5A |
表面贴装 | YES |
切换器配置 | BUCK |
最大切换频率 | 1.6MHz |
模拟集成电路 - 其他类型 | SWITCHINGREGULATOR |
控制模式 | CURRENT-MODE |
控制技术 | PULSEWIDTHMODULATION |
功能数量 | 1 |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | S-XDSO-N6 |
JESD-609代码 | e4 |
认证状态 | NotQualified |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 6 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | HVSON |
封装等效代码 | SOLCC6,.13,38 |
封装形状 | SQUARE |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold(Ni/Pd/Au) |
端子形式 | NOLEAD |
端子节距 | 950µm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 3mm |
长度 | 3mm |
座面最大高度 | 800µm |
零件包装代码 | MLP |
包装说明 | HVSON,SOLCC6,.13,38 |
针数 | 6 |
是否符合REACH标准 | compliant |
制造商包装代码 | 6LD,MLP,DUAL,JEDECMO-229,3MMSQUARE |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.31.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 75000 | 0.529360 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 65933 | 0.592800 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 28851 | 0.333330 |
TL494G-S16-R | UTC | 20610 | 0.633180 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5569 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3899 | 0.471625 |
TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 2802 | 0.504530 |
TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2356 | 0.417040 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |