在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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FAN2564UC25X | FAIRCHILD/仙童 | Fixed Positive LDO Regulator, 2.5V, 0.16V Dropout, CMOS, PBGA4 | 2335 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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Part Life Cycle Code | Obsolete |
Input Voltage-Max | 3.6V |
Input Voltage-Min | 1.65V |
Output Voltage1-Nom | 2.5V |
Dropout Voltage1-Nom | 100mV |
Output Current1-Max | 300mA |
Number of Outputs | 1 |
Surface Mount | YES |
Adjustability | FIXED |
Dropout Voltage1-Max | 160mV |
Input Voltage Absolute-Max | 4.5V |
Line Regulation-Max | 0.0075% |
Number of Functions | 1 |
Output Voltage1-Max | 2.525V |
Output Voltage1-Min | 2.475V |
Technology | CMOS |
Voltage Tolerance-Max | 2.5% |
JESD-30 Code | R-PBGA-B4 |
Qualification Status | NotQualified |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Operating Temperature TJ-Max | 125°C |
Operating Temperature TJ-Min | -40°C |
Number of Terminals | 4 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | VFBGA |
Package Equivalence Code | BGA4,2X2,20 |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | GRIDARRAY |
Packing Method | TR |
Terminal Form | BALL |
Terminal Pitch | 500µm |
Terminal Position | BOTTOM |
Width | 930µm |
Length | 1.41mm |
Seated Height-Max | 625µm |
Ihs Manufacturer | FAIRCHILDSEMICONDUCTORCORP |
Part Package Code | CSP |
Package Description | VFBGA,BGA4,2X2,20 |
Pin Count | 4 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.31.00.01 |
Feature | Fixed,Positive,SingleOutput,Ldo |
Source Content uid | FAN2564UC25X |
Manufacturer Package Code | 4BALLWL-CSP,2X2ARRAY,0.5MMPITCH |
生命周期 | Obsolete |
最大输入电压 | 3.6V |
最小输入电压 | 1.65V |
标称输出电压 1 | 2.5V |
标称回动电压 1 | 100mV |
最大输出电流 1 | 300mA |
输出次数 | 1 |
表面贴装 | YES |
可调性 | FIXED |
最大回动电压 1 | 160mV |
最大绝对输入电压 | 4.5V |
最大电网调整率 | 0.0075% |
功能数量 | 1 |
最大输出电压 1 | 2.525V |
最小输出电压 1 | 2.475V |
技术 | CMOS |
最大电压容差 | 2.5% |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B4 |
认证状态 | NotQualified |
湿度敏感等级 | 1 |
工作温度TJ-Max | 125°C |
工作温度TJ-Min | -40°C |
端子数量 | 4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装等效代码 | BGA4,2X2,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRIDARRAY |
包装方法 | TR |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 500µm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 930µm |
长度 | 1.41mm |
座面最大高度 | 625µm |
零件包装代码 | CSP |
包装说明 | VFBGA,BGA4,2X2,20 |
针数 | 4 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.31.00.01 |
特征 | Fixed,Positive,SingleOutput,Ldo |
制造商包装代码 | 4BALLWL-CSP,2X2ARRAY,0.5MMPITCH |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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LD39200DPUR | STM | 4500 | 2.423342 |
L78M05CDT-TR | STMICROELECTRONICS | 529 | 0.939843 |
L7805CV | STMICROELECTRONICS | 487 | 0.819672 |
TLS202B1MBV50HTSA1 | INFINEON | 465 | 5.785920 |
MAX1615EUK+T | MAXIM | 372 | 4.279170 |
TLT807B0EPVXUMA1 | INFINEON | 105 | 12.090120 |
TLS115B0LDXUMA1 | INFINEON | 27 | 10.484880 |
TLE4275GV33ATMA1 | INFINEON | 5 | 12.936000 |
LTM4645IY#PBF | LINEAR | 2 | 748.000000 |
IFX1117ME V33 | INFINEON | 1 | 1.988910 |