在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FAN3100CMPX | FAIRCHILD/仙童 | Half Bridge Based Peripheral Driver, MOS | 107 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| FAN3100CMPX | ONSEMI/安森美 | 2A W/DUAL CMOS INPUT | 0 | 0 | 中国内地：3-5工作日 中国香港：5-8工作日 |
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| FAN3100CMPX | ON/安森美 | 2A W/DUAL CMOS INPUT | 0 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Supply Voltage-Nom | 12V |
| Interface IC Type | HALFBRIDGEBASEDPERIPHERALDRIVER |
| Technology | MOS |
| Built-in Protections | TRANSIENT |
| Number of Functions | 1 |
| Output Current Flow Direction | SOURCEANDSINK |
| Power Supplies | 12V |
| Supply Voltage-Max | 18V |
| Supply Voltage-Min | 4.5V |
| Surface Mount | YES |
| Temperature Grade | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 Code | S-XDSO-N6 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e4 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 125°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 6 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Code | HVSON |
| Package Equivalence Code | SOLCC6,.08,25 |
| Package Shape | SQUARE |
| Terminal Finish | NICKELPALLADIUMGOLD |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Pitch | 650µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 2mm |
| Seated Height-Max | 1mm |
| Width | 2mm |
| Source Content uid | FAN3100CMPX |
| Ihs Manufacturer | FAIRCHILDSEMICONDUCTORCORP |
| Package Description | HVSON,SOLCC6,.08,25 |
| Manufacturer Package Code | 6LD,MLP,DUAL,JEDECMO-229,2MMSQUARE |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Part Package Code | MLP |
| Pin Count | 6 |
| 生命周期 | Transferred |
| 标称供电电压 | 12V |
| 接口集成电路类型 | HALFBRIDGEBASEDPERIPHERALDRIVER |
| 技术 | MOS |
| 内置保护 | TRANSIENT |
| 功能数量 | 1 |
| 输出电流流向 | SOURCEANDSINK |
| 电源 | 12V |
| 最大供电电压 | 18V |
| 最小供电电压 | 4.5V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 代码 | S-XDSO-N6 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 6 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | HVSON |
| 封装等效代码 | SOLCC6,.08,25 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 端子面层 | NICKELPALLADIUMGOLD |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 650µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 2mm |
| 座面最大高度 | 1mm |
| 宽度 | 2mm |
| 零件包装代码 | MLP |
| 针数 | 6 |
| 制造商包装代码 | 6LD,MLP,DUAL,JEDECMO-229,2MMSQUARE |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 包装说明 | HVSON,SOLCC6,.08,25 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87293 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29251 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 25007 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.469500 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2556 | 0.619190 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1016 | 0.805090 |
| TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 520 | 0.692120 |
