FCA76N60N 电子元器件规格参数_IC电子元器件型号

型号	品牌	描述	库存	包装	交货地(工作日)	操作
FCA76N60N	FAIRCHILD/仙童	Power Field-Effect Transistor, 76A, 600V, 0.036ohm, N-Channel, MOSFET	92	1	中国内地：7-13工作日中国香港：1-2工作日	查看价格
FCA76N60N	ON/安森美	SUPREMOS 76A IN TO3P	0	1	中国内地：14-17工作日中国香港：12-15工作日	查看价格
FCA76N60N	ONSEMI/安森美	SUPREMOS 76A IN TO3P	0	1	中国内地：14-17工作日中国香港：12-15工作日	查看价格

型号

品牌

描述

库存

包装

交货地(工作日)

操作

FCA76N60N

FAIRCHILD/仙童

Power Field-Effect Transistor, 76A, 600V, 0.036ohm, N-Channel, MOSFET

中国内地：7-13工作日
中国香港：1-2工作日

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FCA76N60N

ON/安森美

SUPREMOS 76A IN TO3P

中国内地：14-17工作日
中国香港：12-15工作日

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FCA76N60N

ONSEMI/安森美

SUPREMOS 76A IN TO3P

中国内地：14-17工作日
中国香港：12-15工作日

查看价格

规格参数
封装	TO-3PN-3
最大工作温度	+ 150 C
Vds-漏源极击穿电压	600 V
连续漏极电流Id	76 A
Pd-功率耗散	543 W
技术	Si
晶体管极性	N-Channel
商标名	SupreMOS
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
漏源导通电阻	28 mOhms
安装风格	Through Hole
包装	Tube
生命周期	Transferred
极性/信道类型	N-CHANNEL
表面贴装	NO
配置	SINGLEWITHBUILT-INDIODE
端子数量	3
最小漏源击穿电压	600V
元件数量	1
最大漏极电流 (Abs) (ID)	76A
最大漏极电流 (ID)	76A
最大漏源导通电阻	36mΩ
雪崩能效等级（Eas）	8022mJ
FET 技术	METAL-OXIDESEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENTMODE
最大功率耗散 (Abs)	543W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	228A
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
认证状态	NotQualified
最高工作温度	150°C
外壳连接	DRAIN
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGEMOUNT
端子面层	MATTETIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
零件包装代码	TO-3PN
包装说明	FLANGEMOUNT,R-PSFM-T3
针数	3
是否符合REACH标准	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.29.00.95

规格参数

封装

TO-3PN-3

最大工作温度

+ 150 C

Vds-漏源极击穿电压

600 V

连续漏极电流Id

76 A

Pd-功率耗散

543 W

技术

晶体管极性

N-Channel

商标名

SupreMOS

Vgs - 栅极-源极电压

30 V

漏源导通电阻

28 mOhms

安装风格

Through Hole

包装

Tube

生命周期

Transferred

极性/信道类型

N-CHANNEL

表面贴装

配置

SINGLEWITHBUILT-INDIODE

端子数量

最小漏源击穿电压

600V

元件数量

最大漏极电流 (Abs) (ID)

76A

最大漏极电流 (ID)

76A

最大漏源导通电阻

36mΩ

雪崩能效等级（Eas）

8022mJ

FET 技术

METAL-OXIDESEMICONDUCTOR

工作模式

ENHANCEMENTMODE

最大功率耗散 (Abs)

543W

最大脉冲漏极电流 (IDM)

228A

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

JESD-609代码

认证状态

NotQualified

最高工作温度

150°C

外壳连接

DRAIN

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGEMOUNT

端子面层

MATTETIN

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

零件包装代码

TO-3PN

包装说明

FLANGEMOUNT,R-PSFM-T3

针数

是否符合REACH标准

compliant

ECCN代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

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商品名称	品牌	库存	价格
AP2127K-ADJTRG1	DIODES INCORPORATED	87293	0.497250
AZ1117CH-ADJTRG1	DIODES	29251	0.324720
TL494G-S16-R	UTC	25007	0.617320
TL431G-AE3-R	UTC	12027	0.154980
TL431ACDBZR,215	安世(NEXPERIA)	5933	0.666380
AZ1117CH-3.3TRG1	DIODES INCORPORATED	5571	0.543500
AP2210K-3.3TRG1	DIODES INCORPORATED	3942	0.469500
TL431AIDBZR,215	安世(NEXPERIA)	2556	0.619190
TL431BQDBZR,215	安世(NEXPERIA)	1016	0.805090
TL431AFDT,215	安世(NEXPERIA)	520	0.692120

商品名称

品牌

库存

价格

AP2127K-ADJTRG1

DIODES INCORPORATED

87293

0.497250

AZ1117CH-ADJTRG1

DIODES

29251

0.324720

TL494G-S16-R

UTC

25007

0.617320

TL431G-AE3-R

UTC

12027

0.154980

TL431ACDBZR,215

安世(NEXPERIA)

5933

0.666380

AZ1117CH-3.3TRG1

DIODES INCORPORATED

5571

0.543500

AP2210K-3.3TRG1

DIODES INCORPORATED

3942

0.469500

TL431AIDBZR,215

安世(NEXPERIA)

2556

0.619190

TL431BQDBZR,215

安世(NEXPERIA)

1016

0.805090

TL431AFDT,215

安世(NEXPERIA)

520

0.692120