在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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FFP06U40DNTU | FAIRCHILD/仙童 | 617 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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生命周期 | Obsolete |
最大输出电流 | 6A |
最大正向电压 (VF) | 1.4V |
最大反向恢复时间 | 50ns |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIERDIODE |
配置 | COMMONCATHODE,2ELEMENTS |
表面贴装 | NO |
最大重复峰值反向电压 | 400V |
元件数量 | 2 |
其他特性 | FREEWHEELINGDIODE |
应用 | ULTRAFASTSOFTRECOVERYPOWER |
最大非重复峰值正向电流 | 60A |
相数 | 1 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
最高工作温度 | 150°C |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGEMOUNT |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.80 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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206807-0321 | MOLEX | 4884000 | 0.464882 |
53015-0510 | MOLEX | 78855 | 1.048646 |
39-28-8060 | MOLEX | 10187 | 4.692063 |
75586-0010 | MOLEX | 8800 | 52.557960 |
73403-5072 | MOLEX | 4435 | 16.919332 |
39-28-1103 | MOLEX | 2434 | 2.772420 |
74723-0001 | MOLEX | 1277 | 61.782732 |
70246-1001 | MOLEX | 8 | 10.371200 |
39-29-1088 | MOLEX | 1 | 4.994292 |
XC7Z045-2FFG900I | XILINX | 1 | 2393.042400 |