在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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规格参数 | |
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生命周期 | Obsolete |
集电极-发射极最大电压 | 1.2kV |
门极发射器阈值电压最大值 | 7.5V |
最大集电极电流 (IC) | 30A |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | NO |
配置 | SINGLEWITHBUILT-INDIODE |
端子数量 | 3 |
元件数量 | 1 |
最大降落时间(tf) | 330ns |
门极-发射极最大电压 | 25V |
最大功率耗散 (Abs) | 220W |
晶体管应用 | POWERCONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 560ns |
标称接通时间 (ton) | 145ns |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
认证状态 | NotQualified |
最高工作温度 | 150°C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGEMOUNT |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
包装说明 | FLANGEMOUNT,R-PSFM-T3 |
针数 | 2 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
零件包装代码 | TO-3PN |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
---|---|---|---|
206807-0321 | MOLEX | 4884000 | 0.464882 |
53015-0510 | MOLEX | 78855 | 1.048646 |
39-28-8060 | MOLEX | 10187 | 4.692063 |
75586-0010 | MOLEX | 8800 | 52.557960 |
73403-5072 | MOLEX | 4435 | 16.919332 |
39-28-1103 | MOLEX | 2434 | 2.772420 |
74723-0001 | MOLEX | 1277 | 61.782732 |
70246-1001 | MOLEX | 8 | 10.371200 |
39-29-1088 | MOLEX | 1 | 4.994292 |
XC7Z045-2FFG900I | XILINX | 1 | 2393.042400 |