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型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
FID60-06D IXYS/艾赛斯 60 Amps 600V 0 1 中国内地:8-10工作日
中国香港:5-8工作日
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规格参数
供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC™
IGBT 类型 NPT
封装/外壳 i4-Pac™-5
开关能量 1mJ(开),1.4mJ(关)
测试条件 300V,30A,22 欧姆,15V
栅极电荷 120nC
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
零件状态 有源
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 65A
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V
功率 - 最大值 200W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 70ns
安装类型 通孔
包装 管件
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2V @ 15V,30A
封装 ISOPLUS i4-PAC-5
集电极—射极饱和电压 1.6 V
安装风格 Through Hole
系列 FID60-06D
集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
Pd-功率耗散 200 W
技术 Si
在25 C的连续集电极电流 65 A
配置 Single
最小工作温度 - 55 C
栅极/发射极最大电压 20 V
最大工作温度 + 150 C
包装 Tube
生命周期 Transferred
集电极-发射极最大电压 600V
门极发射器阈值电压最大值 6.5V
最大集电极电流 (IC) 65A
极性/信道类型 N-CHANNEL
表面贴装 NO
配置 SINGLEWITHBUILT-INDIODE
端子数量 5
元件数量 1
其他特性 HIGHRELIABILITY
门极-发射极最大电压 20V
最大功率耗散 (Abs) 200W
晶体管应用 POWERCONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 330ns
标称接通时间 (ton) 110ns
JESD-30 代码 R-PSIP-T5
JESD-609代码 e1
认证状态 NotQualified
最高工作温度 150°C
外壳连接 ISOLATED
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
端子面层 TINSILVERCOPPER
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
是否符合REACH标准 compliant
ECCN代码 EAR99
零件包装代码 ISOPLUS
包装说明 ISOPLUS,I4PAC-5
针数 5
制造商包装代码 ISOPLUS
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