在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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FIN1028MX | ONSEMI/安森美 | 2500 | 2500 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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FIN1028MX | ON/安森美 | 0 | 0 | 中国内地:3-5工作日 |
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FIN1028MX | FAIRCHILD/仙童 | FIN1028 - Line Receiver, 2 Func, 2 Rcvr, CMOS, PDSO8 | 0 | 2320 | 中国内地:9-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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规格参数 | |
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生命周期 | Transferred |
标称供电电压 | 3.3V |
输入特性 | DIFFERENTIAL |
接收器位数 | 2 |
接口集成电路类型 | LINERECEIVER |
技术 | CMOS |
接口标准 | EIA-644;TIA-644 |
功能数量 | 2 |
最大输出低电流 | 8mA |
电源 | 3.3V |
最大接收延迟 | 2.5ns |
最大压摆率 | 9mA |
最大供电电压 | 3.6V |
最小供电电压 | 3V |
表面贴装 | YES |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | DUAL |
长度 | 4.902mm |
座面最大高度 | 1.75mm |
宽度 | 3.9mm |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP,SOP8,.25 |
针数 | 8 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |