在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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FIN1108MTDX | ONSEMI/安森美 | Line Transceiver, 8 Func, 8 Driver, 8 Rcvr, PDSO48 | 583 | 1 卷 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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FIN1108MTD | ONSEMI/安森美 | 8 Port Repeater LVDS Hi Speed | 2 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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FIN1108MTDX | ON/安森美 | Line Transceiver, 8 Func, 8 Driver, 8 Rcvr, PDSO48 | 0 | 0 | 中国内地:4-8工作日 中国香港:3-7工作日 |
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规格参数 | |
---|---|
Part Life Cycle Code | Transferred |
Supply Voltage-Nom | 3.3V |
Input Characteristics | DIFFERENTIAL |
Driver Number of Bits | 8 |
Receiver Number of Bits | 8 |
Transmit Delay-Max | 1.75ns |
Interface IC Type | LINETRANSCEIVER |
Differential Output | YES |
Interface Standard | EIA-644-A;TIA-644-A |
Number of Functions | 8 |
Receive Delay-Max | 1.75ns |
Supply Voltage-Max | 3.6V |
Supply Voltage-Min | 3V |
Surface Mount | YES |
Temperature Grade | INDUSTRIAL |
JESD-30 Code | R-PDSO-G48 |
Qualification Status | NotQualified |
JESD-609 Code | e4 |
Moisture Sensitivity Level | 2 |
Operating Temperature-Max | 85°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Terminals | 48 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | TSSOP |
Package Equivalence Code | TSSOP48,.3,20 |
Package Shape | RECTANGULAR |
Terminal Finish | Nickel/Palladium/Gold(Ni/Pd/Au) |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Pitch | 500µm |
Terminal Position | DUAL |
Length | 12.5mm |
Seated Height-Max | 1.2mm |
Width | 6.1mm |
Source Content uid | FIN1108MTD |
Ihs Manufacturer | FAIRCHILDSEMICONDUCTORCORP |
Part Package Code | TSSOP |
Package Description | TSSOP,TSSOP48,.3,20 |
Pin Count | 48 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
Manufacturer Package Code | 48LD,TSSOP,JEDECMO-153,6.1MMWIDE |
生命周期 | Transferred |
标称供电电压 | 3.3V |
输入特性 | DIFFERENTIAL |
驱动器位数 | 8 |
接收器位数 | 8 |
最大传输延迟 | 1.75ns |
接口集成电路类型 | LINETRANSCEIVER |
差分输出 | YES |
接口标准 | EIA-644-A;TIA-644-A |
功能数量 | 8 |
电源 | 3.3V |
最大接收延迟 | 1.75ns |
最大供电电压 | 3.6V |
最小供电电压 | 3V |
表面贴装 | YES |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e4 |
湿度敏感等级 | 2 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 48 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP48,.3,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold(Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 500µm |
端子位置 | DUAL |
长度 | 12.5mm |
座面最大高度 | 1.2mm |
宽度 | 6.1mm |
包装说明 | TSSOP,TSSOP48,.3,20 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
零件包装代码 | TSSOP |
针数 | 48 |
制造商包装代码 | 48LD,TSSOP,JEDECMO-153,6.1MMWIDE |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |