在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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FIN224CMLX | FAIRCHILD/仙童 | Line Transceiver, 2 Func, 2 Driver, 2 Rcvr | 17067 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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Part Life Cycle Code | Transferred |
Supply Voltage-Nom | 2.775V |
Input Characteristics | DIFFERENTIAL |
Driver Number of Bits | 2 |
Receiver Number of Bits | 2 |
Interface IC Type | LINETRANSCEIVER |
Differential Output | YES |
Interface Standard | GENERALPURPOSE |
Number of Functions | 2 |
Power Supplies | 1.8/3.3,3V |
Supply Voltage-Max | 3.3V |
Supply Voltage-Min | 2.5V |
Surface Mount | YES |
Temperature Grade | OTHER |
JESD-30 Code | S-XQCC-N40 |
Qualification Status | NotQualified |
JESD-609 Code | e4 |
Moisture Sensitivity Level | 3 |
Operating Temperature-Max | 70°C |
Operating Temperature-Min | -30°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Terminals | 40 |
Package Body Material | UNSPECIFIED |
Package Code | HVQCCN |
Package Equivalence Code | LCC40,.24SQ,20 |
Package Shape | SQUARE |
Package Style | CHIPCARRIER |
Terminal Finish | NICKELPALLADIUMGOLD |
Terminal Form | NOLEAD |
Terminal Pitch | 500µm |
Terminal Position | QUAD |
Length | 6mm |
Seated Height-Max | 800µm |
Width | 6mm |
Ihs Manufacturer | FAIRCHILDSEMICONDUCTORCORP |
Package Description | HVQCCN,LCC40,.24SQ,20 |
Reach Compliance Code | compliant |
Part Package Code | MLP |
Pin Count | 40 |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
Source Content uid | FIN224CMLX |
Manufacturer Package Code | 40LD,MLP,QUAD,JEDECMO-220,6MMSQUARE |
生命周期 | Transferred |
标称供电电压 | 2.775V |
输入特性 | DIFFERENTIAL |
驱动器位数 | 2 |
接收器位数 | 2 |
接口集成电路类型 | LINETRANSCEIVER |
差分输出 | YES |
接口标准 | GENERALPURPOSE |
功能数量 | 2 |
电源 | 1.8/3.3,3V |
最大供电电压 | 3.3V |
最小供电电压 | 2.5V |
表面贴装 | YES |
温度等级 | OTHER |
JESD-30 代码 | S-XQCC-N40 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e4 |
湿度敏感等级 | 3 |
最高工作温度 | 70°C |
最低工作温度 | -30°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 40 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | HVQCCN |
封装等效代码 | LCC40,.24SQ,20 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIPCARRIER |
端子面层 | NICKELPALLADIUMGOLD |
端子形式 | NOLEAD |
端子节距 | 500µm |
端子位置 | QUAD |
长度 | 6mm |
座面最大高度 | 800µm |
宽度 | 6mm |
零件包装代码 | MLP |
包装说明 | HVQCCN,LCC40,.24SQ,20 |
针数 | 40 |
制造商包装代码 | 40LD,MLP,QUAD,JEDECMO-220,6MMSQUARE |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
MAX3295AUT+T | MAXIM | 123 | 18.874800 |
ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |