在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FLS2100XS | ONSEMI/安森美 | 400W Half-Bridge LLC Resonant Control IC | 482 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| FLS2100XS | ONSEMI/安森美 | 400W Half-Bridge LLC Resonant Control IC | 75 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| FLS2100XS | ON/安森美 | 400W Half-Bridge LLC Resonant Control IC | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Output Peak Current Limit-Nom | 32A |
| Interface IC Type | HALFBRIDGEBASEDMOSFETDRIVER |
| High Side Driver | YES |
| Number of Functions | 1 |
| Surface Mount | NO |
| JESD-30 Code | R-XZIP-T10 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Number of Terminals | 10 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Code | SIP |
| Package Equivalence Code | ZIP9/13,.13,.05 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | ZIG-ZAG |
| Length | 26mm |
| Width | 3.2mm |
| Ihs Manufacturer | FAIRCHILDSEMICONDUCTORCORP |
| Part Package Code | SIP |
| Package Description | SIP-10 |
| Pin Count | 9 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8541.29.00.95 |
| Source Content uid | FLS2100XS |
| 生命周期 | Transferred |
| 标称输出峰值电流 | 32A |
| 接口集成电路类型 | HALFBRIDGEBASEDMOSFETDRIVER |
| 高边驱动器 | YES |
| 功能数量 | 1 |
| 表面贴装 | NO |
| JESD-30 代码 | R-XZIP-T10 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 端子数量 | 10 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SIP |
| 封装等效代码 | ZIP9/13,.13,.05 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | ZIG-ZAG |
| 长度 | 26mm |
| 宽度 | 3.2mm |
| 零件包装代码 | SIP |
| 包装说明 | SIP-10 |
| 针数 | 9 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.29.00.95 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 4250 | 10.981201 |
| 74VHCT244AMTC | FSC | 3475 | 0.964320 |
| IRS2005STRPBF | INFINEON | 3145 | 1.711668 |
| ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
| ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 558 | 37.382660 |
| IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
| IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
| IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
| MAX17600ASA+ | MAXIM | 37 | 7.546000 |
| MAX6951CEE+ | MAXIM | 1 | 71.732080 |
