在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FM24C64B-GTR | INFINEON/英飞凌 | 17963 | 2500 盘 | 中国内地：1-2工作日 |
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| FM24C64B-GTR | CYPRESS/赛普拉斯 | 17963 | 2500 盘 | 中国内地：1-2工作日 |
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| FM24C64B-GTR | INFINEON/英飞凌 | F-RAM 64Kb Serial I2C 5V FRAM | 7500 | 2500 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装类型 | SOIC-8 |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| Memory Density | 64kb |
| Interface Type | Serial |
| Memory Organization | 8 K x 8 |
| FRAM Type | Integrated FRAM |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 存储容量 | 64Kb （8K x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| 存储器接口 | I²C |
| 基本零件编号 | FM24C64 |
| 访问时间 | 550ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 4.5V ~ 5.5V |
| 系列 | F-RAM™ |
| 技术 | FRAM（铁电体 RAM） |
| 在线目录 | FRAM - 1²C - Cypress Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 时钟频率 | 1MHz |
| 存储器格式 | FRAM |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 系列 | FM24C64B-G |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 包装 | Cut Tape, Reel |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 65.536kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 8KX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 电源 | 5V |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1MHz |
| 内存集成电路类型 | FRAM |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| 耐久性 | 100000000000000Write/EraseCycles |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 8000 |
| 字数 | 8.192k |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 10µA |
| 最大压摆率 | 400nA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 技术 | CMOS |
| 写保护 | HARDWARE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | PureTin(Sn) |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.727mm |
| 长度 | 4.889mm |
| 宽度 | 3.8985mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP,SOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.71 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 756 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
