在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FM24CL16B-GTR | CYPRESS/赛普拉斯 | 7331 | 2500 盘 | 中国内地：1-2工作日 |
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| FM24CL16B-G | INFINEON/英飞凌 | 5192 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| FM24CL16B-G | INFINEON/英飞凌 | 1851 | 1 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装类型 | SOIC-8 |
| Supply Voltage-Nom | 2.7V to 3.6V |
| Memory Density | 16kb |
| Interface Type | Serial |
| FRAM Type | Non Volatile |
| Temperature Range | -40°C to +85°C |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 存储容量 | 16Kb （2K x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| 存储器接口 | I²C |
| 基本零件编号 | FM24CL16 |
| 访问时间 | 550ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 电压 - 电源 | 2.7V ~ 3.6V |
| 系列 | F-RAM™ |
| 技术 | FRAM（铁电体 RAM） |
| 在线目录 | FRAM - 1²C - Cypress Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 时钟频率 | 1MHz |
| 存储器格式 | FRAM |
| 封装 | SOIC-8 |
| 电源电压-最大 | 3.65 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | FM24CL16B-G |
| 接口类型 | 2-Wire |
| 电源电压-最小 | 2.7 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 2 k x 8 |
| 存储容量 | 16 kbit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 包装 | Tube |
| 生命周期 | Transferred |
| 内存密度 | 16.384kbit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 2KX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3V |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1MHz |
| 内存集成电路类型 | FRAM |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| 耐久性 | 100000000000000Write/EraseCycles |
| 功能数量 | 1 |
| 字数代码 | 2000 |
| 字数 | 2.048k |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 6µA |
| 最小待机电流 | 2.7V |
| 最大压摆率 | 300nA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.65V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7V |
| 技术 | CMOS |
| 写保护 | HARDWARE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold(Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.727mm |
| 长度 | 4.889mm |
| 宽度 | 3.8985mm |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.71 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 针数 | 8 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
| VIPER12ASTR-E | ST/意法 | 60000 | 1.471140 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 22657 | 0.226320 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8048 | 10.856245 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
| 43650-0510 | MOLEX | 2646 | 15.421266 |
| SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.628400 |
| VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |
| MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |
