在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FMBA14 | FAIRCHILD/仙童 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A, 30V, 2-Element, NPN | 10282 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| FMBA14 | ONSEMI/安森美 | NPN Multi-ChipTrans Darlington | 711 | 1 | 中国香港：8-11工作日 |
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| FMBA14 | ON/安森美 | NPN Multi-ChipTrans Darlington | 0 | 3000 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Collector-Emitter Voltage-Max | 30V |
| Collector Current-Max (IC) | 1.2A |
| Polarity/Channel Type | NPN |
| Surface Mount | YES |
| Configuration | 2BANKS,DARLINGTON |
| Number of Terminals | 6 |
| Number of Elements | 2 |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 20000 |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 200MHz |
| Transistor Application | AMPLIFIER |
| Transistor Element Material | SILICON |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 150°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Position | DUAL |
| Source Content uid | FMBA14 |
| Ihs Manufacturer | FAIRCHILDSEMICONDUCTORCORP |
| Package Description | SMALLOUTLINE,R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| Pin Count | 6 |
| Manufacturer Package Code | 6LD,SUPERSOT6,JEDECMO-193,1.6MMWIDE |
| Part Package Code | SSOT |
| HTS Code | 8541.21.00.95 |
| 生命周期 | Transferred |
| 集电极-发射极最大电压 | 30V |
| 最大集电极电流 (IC) | 1.2A |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 表面贴装 | YES |
| 配置 | 2BANKS,DARLINGTON |
| 端子数量 | 6 |
| 元件数量 | 2 |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 20000 |
| 标称过渡频率 (fT) | 200MHz |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 150°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子位置 | DUAL |
| 零件包装代码 | SSOT |
| 包装说明 | SMALLOUTLINE,R-PDSO-G6 |
| 针数 | 6 |
| 制造商包装代码 | 6LD,SUPERSOT6,JEDECMO-193,1.6MMWIDE |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.21.00.95 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 756 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 390 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
