在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FMS6690MTC20X | FAIRCHILD/仙童 | 217468 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| FMS6690MTC20 | FAIRCHILD/仙童 | Video Filter Driver, Six Channel, 6th Order SD PS HD | 5409 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Package Code | TSSOP |
| Power Supplies | 5V |
| Consumer IC Type | CONSUMERCIRCUIT |
| Number of Functions | 1 |
| Supply Current-Max | 80mA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.25V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.75V |
| Temperature Grade | COMMERCIAL |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G20 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 70°C |
| Number of Terminals | 20 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Equivalence Code | TSSOP20,.25 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 650µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Width | 4.4mm |
| Length | 6.5mm |
| Seated Height-Max | 1.1mm |
| Source Content uid | FMS6690MTC20 |
| Ihs Manufacturer | FAIRCHILDSEMICONDUCTORCORP |
| Part Package Code | TSSOP |
| Package Description | LEADFREE,TSSOP-20 |
| Pin Count | 20 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 封装代码 | TSSOP |
| 电源 | 5V |
| 商用集成电路类型 | CONSUMERCIRCUIT |
| 功能数量 | 1 |
| 最大压摆率 | 80mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75V |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G20 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 70°C |
| 端子数量 | 20 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | TSSOP20,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 650µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 4.4mm |
| 长度 | 6.5mm |
| 座面最大高度 | 1.1mm |
| 包装说明 | LEADFREE,TSSOP-20 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | TSSOP |
| 针数 | 20 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87293 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29251 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 25007 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.469500 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2556 | 0.619190 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1016 | 0.805090 |
| TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 520 | 0.692120 |
